SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25Q32CTJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJGR -
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CEIGR 0.2725
RFQ
ECAD 3135 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25LD05 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 50 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI - Dual I/O 55 µs, 6 ms
GD25LD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld20ceigr 0.3205
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25LD20 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 50 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Dual I/O 97 µs, 6 ms
GD25LQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIG 0.4195
RFQ
ECAD 7089 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ16 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ16C8IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16C8IGR -
RFQ
ECAD 5487 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-xflga GD25LQ16 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8 LGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIG 0.2885
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VQ20 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CEIGR -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25VQ20 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25VE20 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 104 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25VQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CSIG -
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25VQ80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 104 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ve16ctigr -
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VE16 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O -
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq4ufyigy -
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD5F1GQ4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.800 120 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - Quad I/O 700 µs
GD25LQ80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq80ctigr -
RFQ
ECAD 6786 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25LQ80 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ32DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq32dsigr 1.0800
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ32 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD25Q16CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTEGREGAN 1.2500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25VE20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CEIGR -
RFQ
ECAD 1534 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25VE20 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25VE16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CEIGR -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25VE16 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enigr 1.0900
RFQ
ECAD 871 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición GD25LQ32 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 133 MHz No Volátil 32Mbit 7 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25Q16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16Enigr 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-Uson (4x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 7 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
GD25Q64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64esigr 1.1800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1970-gd25q64esigrtr 3A991B2A 8542.32.0071 2,000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2.4 ms
GD25Q32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q32esigr 0.9400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz No Volátil 32Mbit 7 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2.4 ms
GD25LQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq32esigr 1.0100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ32 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz No Volátil 32Mbit 7 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q16esigr 0.7100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 133 MHz No Volátil 16mbit 7 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
GD25LQ255EFJRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFJRR 2.8683
RFQ
ECAD 7649 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP descascar 1970-GD25LQ25555EFJRRTR 1,000 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI -
GD25Q256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EyJGR 2.7672
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar 1970-GD25Q256EyJgrtr 3.000 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LQ16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16AGR 0.9688
RFQ
ECAD 2887 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-USON (3x2) - 1970-GD25LQ16EEAGRTR 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 100 µs, 4ms
GD5F1GQ5UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq5ueyjgr 2.9324
RFQ
ECAD 5226 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar 1970-gd5f1gq5ueyjgrtr 3.000 133 MHz No Volátil 1 gbit 7 ns Destello 256m x 4 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 600 µs
GD25LE64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le64etigrig 0.8045
RFQ
ECAD 1377 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-gd25le64etigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25LX512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512Mefirr 6.7411
RFQ
ECAD 5150 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP - 1970-gd25lx512mefirrtr 1,000 200 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - E/S Octal, DTR -
GD25B256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256Efrir 2.4461
RFQ
ECAD 8258 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP descascar 1970-gd25b256efirrtr 1,000 No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f1gq5ueyihr 2.3508
RFQ
ECAD 9700 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd5f1gq5ueyihrtr 3.000 133 MHz No Volátil 1 gbit 7 ns Destello 256m x 4 SPI - Quad I/O, DTR 600 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock