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Circuitos Integrados (ICS) (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd5f2gq4uf9igr | - |  | 4326 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 vlga | GD5F2GQ4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 8-LGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | |||
 | GD25VE16CEIGR | - | | 6340 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25VE16 | Flash - Ni | 2.1V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | GD25LQ16CSIG | 0.4195 | | 7089 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25LQ16 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25lq80ctigr | - | | 6786 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25LQ80 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25VQ80ctigr | - | | 2523 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25VQ80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
 | Gd25le16eigr | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-gd25le16eigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25VQ80CSIG | - | | 7941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25VQ80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | |||
| Gd55b01gefirr | 13.0800 | | 6702 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||
| Gd25q80ceigr | 0.6800 | | 44 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25Q80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25LQ128DSIG | 1.4585 | | 1215 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25LQ128 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 2.4ms | |||
| GD25Q32ENGR | 0.8705 | | 6144 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-GD25Q32Engrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25VE40CEIGR | - | | 6852 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25VE40 | Flash - Ni | 2.1V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd25q32ctig | 0.5149 | | 9200 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25Q64CSJG | - | | 5785 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25Q127CSJGR | - | | 4258 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 12 µs, 2.4 ms | |||
| GD25WD20CTIG | - | | 4305 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25WD20 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 20,000 | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| GD25D05CEIGR | 0.2404 | | 3862 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25D05 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 512 kbit | Destello | 64k x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | |||
| Gd25q40ctigr | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25q32ctigr | 1.0100 | | 18 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| Gd25lq80ceigr | - | | 4175 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25LQ80 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
 | Gd25lq32dligr | 0.9136 | | 4028 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 10-xfbga, WLCSP | GD25LQ32 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 10-WLCSP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 2.4ms | |||
 | Gd25q64ewigr | 1.3900 | | 8 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | ||
| GD25Q16EIGR | 0.8200 | | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | ||
| Gd25q128esigr | 1.9300 | | 9 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | ||
| Gd25lq64esigr | 1.3200 | | 13 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | GD25LQ64 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | ||
| Gd25lq16etigr | 0.8200 | | 3644 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25q20esigr | 0.4500 | | 7823 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 7 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | |||||
| GD25WQ32SIGR | 1.1100 | | 8604 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | 8 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||
| Gd25lq64ewigr | 1.4800 | | 5696 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd25b64ewigr | 1.4100 | | 2128 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms |
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