SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Otros nombres Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25LE64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le64esigy 0.8284
RFQ
ECAD 5971 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-gd25le64esigy 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25LB128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lb128esigr 1.3057
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-gd25lb128esigrtr 2,000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25LQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ETIGR 0.7908
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-gd25lq64etigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25r128esigr 1.5448
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25R Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-gd25r128esigrtr 2,000 200 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q80CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CS2GR 0.5970
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25Q80CS2GRTR 2,000 80 MHz No Volátil 8mbit 7 ns Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 60 µs, 4ms
GD25B32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25b32esigr 0.6115
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-gd25b32esigrtr 2,000 133 MHz No Volátil 32Mbit 7 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2.4 ms
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le64eqigr 0.9126
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x4) descascar 1970-gd25le64eqigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25B32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32Esagr 1.0363
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-gd25b32esagrtr 2,000 No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O -
GD55B02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd55b02gebiry 16.9200
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55B Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) descascar 1970-gd55b02gebiry 4.800 133 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25R256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256Efirr 2.8829
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25R Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-GD25R256Efirrtr 1,000 200 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIGR 0.3167
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-TSOP descascar 1970-GD25WD40COIGRTR 3.000 100 MHz No Volátil 4mbit 12 ns Destello 512k x 8 SPI - Dual I/O 97 µs, 6 ms
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255Efirr 2.3733
RFQ
ECAD 8858 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 16-SOP descascar 1970-GD25LQ255Firrtr 1,000 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI -
GD25LQ80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq80etegr 0.5242
RFQ
ECAD 8015 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-GD25LQ80ETEGRTR 3.000 133 MHz No Volátil 8mbit 6 ns Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 100 µs, 4ms
GD9FS8G8E3ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E3AlGJ 17.9949
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo descascar 1970-gd9fs8g8e3algj 2,100
GD25LH16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lh16enigr 0.6080
RFQ
ECAD 6672 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo - 1970-GD25LH16Enigrtr 3.000
GD25F256FFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25f256ffirr 2.3755
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-gd25f256ffirrtr 1,000 200 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD55LE511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511Mewigr 4.3329
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo - 1970-gd55le511mewigrtr 3.000
GD25WD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25wd10ckigr 0.3167
RFQ
ECAD 2603 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-USON (1.5x1.5) descascar 1970-gd25wd10ckigrtr 3.000 100 MHz No Volátil 1 mbit 12 ns Destello 128k x 8 SPI - Dual I/O 55 µs, 6 ms
GD25B16CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CS2GR 0.7772
RFQ
ECAD 3277 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP - 1970-GD25B16CS2GRTR 2,000 No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q64EWEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64ewegrin 1.1653
RFQ
ECAD 9016 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) descascar 1970-gd25q64ewegrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 140 µs, 4 ms
GD25LQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq80esigr 0.3786
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-gd25lq80esigrtr 2,000 133 MHz No Volátil 8mbit 6 ns Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD5F2GQ5REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f2gq5reyigr 4.1912
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) descascar 1970-gd5f2gq5reyigrtr 3.000 80 MHz No Volátil 2 GBIT 11 ns Destello 256m x 8 SPI - Quad I/O 600 µs
GD25Q64ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q64etjgr 0.8705
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-gd25q64etjgrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 7 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 140 µs, 4 ms
GD25LE32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32Enigr 0.7090
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (3x4) descascar 1970-gd25le32enigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 32Mbit 6 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD5F1GQ5REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REY2GY 3.7639
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 1.7v ~ 2v 8-wson (6x8) - 1970-GD5F1GQ5REY2GY 4.800 104 MHz No Volátil 1 gbit 9.5 ns Destello 256m x 4 SPI - Quad I/O, DTR 600 µs
GD25T512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEYIGR 5.2458
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25t Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-gd25t512meyigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O, DTR -
GD55X01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd55x01gefirr 13.2372
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55X Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP - 1970-gd55x01gefirrtr 1,000 200 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI - E/S Octal, DTR -
GD25LD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld80etigy 0.3167
RFQ
ECAD 7655 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar 1970-gd25ld80etigy 4,320 50 MHz No Volátil 8mbit 12 ns Destello 1m x 8 SPI - Dual I/O 100 µs, 6 ms
GD5F4GM8UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gm8uewigy 6.1180
RFQ
ECAD 5267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) descascar 1970-gd5f4gm8uewigy 5.700 133 MHz No Volátil 4 gbit 7 ns Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O, DTR 600 µs
GD25LR128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lr128ewigr 1.8258
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lr Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) - 1970-gd25lr128ewigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock