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Circuitos Integrados (ICS) (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25WD40EIGR | 0.3619 |  | 8680 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25WD40EEGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | ||
| Gd5f2gq5ufyigr | 3.9884 | | 4325 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-gd5f2gq5ufyigrtr | 3.000 | ||||||||||||||||
| GD25Q80AGRAGR | 0.7134 | | 9852 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | - | 1970-GD25Q80EEAGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | ||
| GD25B32ET2GR | 0.9266 | | 8095 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B32ET2GRTR | 3.000 | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| Gd25d80csigr | 0.2865 | | 7950 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25D80CSIGRTR | 2,000 | 100 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | ||
| GD25LB512Me3IRR | 4.8056 | | 4077 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-gd25lb512me3irrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||
| Gd5f4gm8reyigy | 5.9850 | | 2866 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gm8reyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | ||
| Gd25q64ezigy | 0.8923 | | 9870 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-gd25q64ezigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | ||
| Gd25le32egrin | 1.0109 | | 5482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25LE32EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | ||
| GD25X512Mefirr | 6.4724 | | 5139 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 1970-gd25x512mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - E/S Octal | - | |||
| Gd25b128esigy | 1.1590 | | 1482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25b128esigy | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | ||
| GD25Q256Gegra | 3.2782 | | 9825 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25Q256Eygrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd25wd05ck6igr | 0.3318 | | 2665 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25wd05ck6igrtr | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 512 kbit | 12 ns | Destello | 64k x 8 | SPI - Dual I/O | 55 µs, 6 ms | ||
| GD25Q40EEGIG | 0.3619 | | 9407 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25Q40EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 7 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | ||
| Gd25lr64esigr | 1.2215 | | 1157 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lr64esigrtr | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| GD25LQ128DY2GY | 2.1331 | | 1815 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LQ128DY2GY | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 2.4ms | ||
| GD25WQ64EQEGREG | 1.2917 | | 7123 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25WQ64EQeGrtr | 3.000 | 84 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 µs, 8 ms | ||
| GD25D20ctigrig | 0.2262 | | 1994 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25d20ctigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | ||
| Gd25q64engr | 1.1317 | | 4773 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25q64engrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | ||
| GD25B512Mefirr | 4.4984 | | 3661 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | 1970-gd25b512mefirrtr | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||
| GD25F256Fyagy | 4.1496 | | 4239 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25F256Fyagy | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd25uf64esigy | 0.9547 | | 4911 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25UF | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.14V ~ 1.26V | 8-SOP | - | 1970-gd25uf64esigy | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | |||
| Gd25q128esgr | 1.5907 | | 1203 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25Q128SEGRTRTR | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 7 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | ||
| GD25LT512Mey2GR | 8.8525 | | 7207 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd25lt512mey2grtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||
| Gd25r64yigr | 1.2272 | | 9905 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25R64Eyigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| Gd25b256yigr | 2.3105 | | 2302 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25B256Eyigrtr | 3.000 | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| Gd25d20ceigr | 0.2636 | | 7400 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-gd25d20ceigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | ||
| GD9FU8G8E3AMGI | 14.7368 | | 4073 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FU8G8E3AMGI | 960 | No Volátil | 8 gbit | 18 ns | Destello | 1g x 8 | Onde | 20ns | |||
| Gd25lq40etigrig | 0.3515 | | 4553 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25lq40etigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | ||
| GD55B01GEB2RY | 13.2000 | | 1887 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55B01GEB2RY | 8542.32.0071 | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - |
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