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Circuitos Integrados (ICS) (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD55LT02 Gebario | 37.1750 |  | 2866 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT02 GOBAR | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| Gd25b512mebjry | 5.2136 | | 4467 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | 1970-gd25b512mebjry | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| Gd25q80etegr | 0.4525 | | 2591 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25Q80ETEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 8mbit | 7 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |
| GD55WB512Meyigy | 4.6816 | | 4786 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55WB | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD55WB512Meyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| Gd25lq64ewagr | 1.6045 | | 6739 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25lq64ewagrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |
| Gd25ld40ekigr | 0.3619 | | 4375 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25ld40ekigrtr | 3.000 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | 12 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |
| Gd25d80ctigr | 0.2783 | | 2411 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-GD25D80CTIGRTR | 3.000 | 100 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | |
| Gd5f4gm8reyigr | 5.9085 | | 2453 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gm8reyigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |
| Gd5f2gm7ueyigy | 3.2825 | | 6646 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f2gm7ueyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 7 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |
| Gd25q256ewigy | 2.2897 | | 7620 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25q256ewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| Gd25lt512mefiry | 5.7957 | | 6463 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-gd25lt512mefiry | 1.760 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| GD25Q64CW2GR | 1.3970 | | 9623 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25Q64CW2GRTR | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 4ms | |
| Gd5f1gq5ueyigy | 2.3296 | | 8895 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f1gq5ueyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | |
| Gd5f1gm7ueyigy | 2.0634 | | 8752 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f1gm7ueyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |
| Gd25q64esjgr | 0.8705 | | 3820 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25q64esjgrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |
| Gd55b01geyigy | 8.8738 | | 4263 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd55b01geyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| Gd25lq128eqigr | 1.3900 | | 5298 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25LQ128EQIGRTR | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |
| GD9FU2G8F2Amgi | 4.5630 | | 3459 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FU2G8F2Amgi | 960 | No Volátil | 2 GBIT | 18 ns | Destello | 256m x 8 | Onde | 20ns | ||
| Gd25wq64etigy | 0.8564 | | 1444 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-gd25wq64etigy | 4,320 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 12 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |
| Gd25lb64ewigr | 0.9126 | | 8288 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25lb64ewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |
| GD25LQ80CN2GR | 0.6818 | | 5726 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-Uson (3x4) | - | 1970-GD25LQ80CN2GRTR | 3.000 | 90 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 80 µs, 3 ms | |
| GD25Q64Enigr | 0.8424 | | 2779 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-gd25q64enigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |
| GD25LQ16Enigr | 0.5939 | | 6464 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-GD25LQ16Enigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |
| Gd25lq16ewigr | 0.6115 | | 2626 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25lq16ewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |
| Gd5f1gq5rewigy | 2.3917 | | 8991 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd5f1gq5rewigy | 5.700 | 104 MHz | No Volátil | 1 gbit | 9.5 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | |
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| GD25LT256EY2GY | 4.7723 | | 2063 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LT256EY2GY | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 140 µs, 2 ms | |
| Gd25f64fsigr | 0.8424 | | 1873 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-gd25f64fsigrtr | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||
| GD9FU4G8F3AMGI | 7.0543 | | 4103 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FU4G8F3AMGI | 960 | No Volátil | 4 gbit | 18 ns | Destello | 512m x 8 | Onde | 20ns |
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