SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 120 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25UF64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25uf64eqigr 1.0390
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.14V ~ 1.26V 8-Uson (4x4) - 1970-gd25uf64eqigrtr 3.000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, DTR -
GD25LT256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lt256yigr 3.2239
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lt Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-GD25LT256Eyigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 256Mbit 6 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 70 µs, 1.2 ms
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10 CEIGR 0.2564
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25D10 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 100 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI - Dual I/O 50 µs, 4ms
GD25Q256EFJRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EFJRR 2.9266
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16-SOP descascar 1970-GD25Q256EfJRRTR 1,000 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
ECAD 3531 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25VQ16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 9,500 104 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 3 ms
GD25LQ128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq128dsigr 2.2000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ128 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD5F4GQ6UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gq6ueyigy 6.6500
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar 1970-gd5f4gq6ueyigy 4.800 104 MHz No Volátil 4 gbit 9 ns Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O 600 µs
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gq4ucyigr -
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD5F4GQ4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 SPI - Quad I/O
GD25LQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64enigr 0.8986
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-Uson (3x4) descascar 1970-gd25lq64enigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 64 Mbbit 6 ns Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25LD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld80ckigr 0.3676
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ld Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-USON (1.5x1.5) descascar 1970-gd25ld80ckigrtr 3.000 50 MHz No Volátil 8mbit 12 ns Destello 1m x 8 SPI - Dual I/O 97 µs, 6 ms
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q80ceigr 0.6800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición GD25Q80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-USON (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25Q16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q16etigrig 0.7500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 7 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
GD25LQ10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq10ctigr -
RFQ
ECAD 1681 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25LQ10 Flash - Ni 1.65V ~ 2.1V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 104 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LR128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lr128yigr 1.8135
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lr Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-GD25LR128Eyigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25VE40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25ve40ctig 0.3686
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25VE40 Flash - Ni 2.1V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 20,000 104 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LQ16ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ET2GR 0.7499
RFQ
ECAD 3196 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-SOP - 1970-GD25LQ16ET2GRTR 3.000 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25R64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25r64ewigr 1.2636
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25R Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) - 1970-gd25r64ewigrtr 3.000 200 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25LB32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lb32ewigr 0.7301
RFQ
ECAD 2961 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) descascar 1970-gd25lb32ewigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 32Mbit 6 ns Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq128ewigr 2.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25LQ128 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 128 Mbbit 7 ns Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 60 µs, 2.4 ms
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511Mewigy 4.1663
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo - 1970-gd55le511mewigy 5.700
GD25B16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25b16esigr 0.4805
RFQ
ECAD 6163 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar 1970-gd25b16esigrtr 2,000 133 MHz No Volátil 16mbit 7 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 70 µs, 2 ms
GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le32dligr -
RFQ
ECAD 4768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 21-xfbga, wlscp GD25LE32 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 21-WLCSP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD25LQ16EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq16ewigy 0.5642
RFQ
ECAD 5262 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8-wson (5x6) descascar 1970-gd25lq16ewigy 5.700 133 MHz No Volátil 16mbit 6 ns Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 µs, 2.4 ms
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq128dvigr -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) GD25LQ128 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-VSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD9FS4G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3Algi 7.0554
RFQ
ECAD 4942 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Banda Activo descascar 1970-gd9fs4g8f3algi 2,100
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q16ctigr 0.8200
RFQ
ECAD 140 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) GD25Q16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 µs, 2.4 ms
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq256dyigr -
RFQ
ECAD 3379 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn GD25LQ256 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq64cqigr -
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-xdfn almohadilla exposición GD25LQ64 Flash - Ni 1.65V ~ 2V 8-Uson (4x4) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 3.000 120 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI - Quad I/O 2.4ms
GD25LB128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lb128yigr 1.4524
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn Flash - Nor (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) descascar 1970-GD25LB128Eyigrtr 3.000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock