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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT35XU256ABA2G12-0AUT | 10.5900 |  | 871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | MT40A512M16LY-062E AIT: E | 9.2250 | | 6447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT40A512M16LY-062EAIT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.080 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT40A512M16TB-062E: J | - | | 7804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT53D4G16D8AL-062 WT: E | - | | 1672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D4G16 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53D4G16D8AL-062WT: E | Obsoleto | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 4g x 16 | - | - | |||||||
 | MT53D512M16D1DS-046 AIT: D | 11.9500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M16D1DS-046AIT: D | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | - | - | ||
| MT53D512M32D2DS-046 IT: D | 19.0000 | | 1723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M32D2DS-046IT: D | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||
| MT53E128M16D1DS-046 WT: A | - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046WT: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | ||||||
 | MT53E1536M32D4DT-046 AIT: A | - | | 4395 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E1536M32D4DT-046AIT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | - | - | |||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT: A | - | | 8793 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E1G64D4SQ-046WT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT: B | 10.7900 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M16D1DS-046WT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | - | - | |||||
| MT53E256M32D2DS-046 AUT: B | 17.8200 | | 5236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-046AUT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||
| MT53E256M32D2DS-046 IT: B | 16.2000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-046IT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||
| MT53E256M32D2DS-053 WT: B | - | | 9091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E256M32D2DS-053WT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||
| MT53E2G32D4DT-046 AAT: A | 63.1350 | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046AAT: A | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
| MT53E384M32D2DS-046 WT: E | - | | 8383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E384M32D2DS-046WT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
| MT53E384M32D2DS-053 AIT: E | 14.7200 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E384M32D2DS-053AIT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | ||
| MT53E512M64D4NK-046 WT: D | - | | 6171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E512M64D4NK-046WT: D | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||
| MT53E512M64D4NK-053 WT: D | - | | 2960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E512M64D4NK-053WT: D | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||
| MT53E768M32D4DT-053 AAT: E | 29.2650 | | 3286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E768M32D4DT-053AAT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | ||
| MT53E768M64D4SQ-046 AAT: A | - | | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E768M64D4SQ-046AAT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | ||||||
| MT53E768M64D4SQ-046 AIT: A | - | | 5518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E768M64D4SQ-046AIT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | ||||||
 | Mtfc64gapalbh-it | - | | 8346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | Mtfc8gacaalt-4m it | - | | 6301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MTFC8GACAALT-4MIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT58V512V32FT-7.5 | 18.7900 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 32 | Paralelo | - | |||||
| MT58L32L32PT-6 | 10.9700 | | 38 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | Volante | 1 mbit | 3.5 ns | Sram | 32k x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT57W512H36JF-7.5 | 26.4100 | | 153 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 500 ps | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | |||
| MT54V512H18EF-10 | 19.2500 | | 147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT54V512 | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
| MT57W512H36JF-5 | 28.0100 | | 262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT57W512H | SRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT58L256L36FT-10IT | 17.3600 | | 447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volante | 8mbit | 10 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
| MT55L256V32PT-7.5 | 8.9300 | | 345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT55L256V | Sram - Sincónnico, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 32 | Paralelo | - |
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