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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt29vzzzac8fqksl-053 w.g8f | - |  | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | Mt29vzzzac8 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
 | MT28F800B3WP-9 B TR | - | | 5731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F800B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8mbit | 90 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
 | MT47H128M16RT-25E IT: C | 15.2500 | | 270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (9x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT53B256M64D2NK-053 WT: C TR | - | | 8563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||
 | MT48V8M32LFF5-10 | - | | 7448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48V8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 2.3V ~ 2.7V | 90-vfbga (8x13) | - | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 256Mbit | 7 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT28F320J3FS-11 GMET | - | | 1760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | MT28F320J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32Mbit | 110 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | Nand128w3aabn6f tr | - | | 5654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | No Volátil | 128 Mbbit | 50 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | 50ns | |||||
 | MT29E512G08CEHBBJ4-3: B | - | | 7811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29E512G08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
| MT51K256M32HF-60 N: B TR | 39.0000 | | 6445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | MT51K256 | SGRAM - GDDR5 | 1.3V ~ 1.545V | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | |||||||
 | MT29F1G16ABBEAH4-ITX: E TR | - | | 3376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | MT48LC16M8A2TG-7E: G | - | | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 14ns | |||
| N25q064a13esed0e | - | | 5411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||
| MT47H64M16HR-3 AIT: H TR | - | | 6601 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT40A1G8WE-075E: B TR | - | | 2880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D2048M32D8QD-053 WT: D | - | | 7351 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||
 | MT53D512M32D2NP-062 WT ES: D TR | - | | 7687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||||
| MT29C1G12MAACVAML-5 IT | - | | 1318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 153-vfbga | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 64m x 16 (nand), 32m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||||
| MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT TR | - | | 9105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C8G48 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 8Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 512m x 16 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||||
 | MT41K512M8DA-107 AIT: P TR | 8.8800 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT53D512M64D4NZ-046 WT: E | 49.0500 | | 1682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT46V32M8TG-75 L: G TR | - | | 6076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v32m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT48LC8M32B2P-6 TR | - | | 6235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 12ns | |||
| MT41J256M8JE-187E: A | - | | 2653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 82-FBGA | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 82-FBGA (12.5x15.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q4329252 | EAR99 | 8542.32.0036 | 25 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.125 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | ||
| MT53D768M64D4SQ-046 WT ES: A | - | | 8195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | ||||||||||
| M29W800DT45ZE6F TR | - | | 9358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 8mbit | 45 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 45ns | |||||
 | MT49H16M18CSJ-25 IT: B TR | - | | 8082 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 18 | Paralelo | - | |||
 | MT29F128G08CBCBBH6-6R: B TR | - | | 4997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D4DBSB-DC | - | | 9441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.190 | ||||||||||||||||||||
| MT51J256M32HF-50: A | - | | 6610 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||||
 | Mt29c1g12maajyamd-5 it tr tr TRA | - | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - |
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