SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCBBH6-6R: B TR -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT53D4DBSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DBSB-DC -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.190
MT51J256M32HF-50:A Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-50: A -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA MT51J256 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 1.260 Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. Mt29c1g12maajyamd-5 it tr tr TRA -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT49H16M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25E: B 47.8500
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1.120 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELHBBG1-3R: B TR -
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 272-vfbga MT29F1HT08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 1.5tbit Destello 192G x 8 Paralelo -
M45PE80-VMP6 Micron Technology Inc. M45PE80-VMP6 -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M45PE80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 490 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT40A512M16JY-083E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AIT: B -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT48H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-6 IT: H -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT47H512M8WTR-25E:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E: C -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 63-TFBGA MT47H512M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (9x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.320 400 MHz Volante 4 gbit 400 ps Dracma 512m x 8 Paralelo 15ns
MT29F512G08CUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10: A -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT48LC8M16LFF4-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8 XT: G -
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -20 ° C ~ 75 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT: B TR 73.4400
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 Paralelo -
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT: C TR -
RFQ
 ECAD 9735 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MT28F008B3VG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 TET -
RFQ
 ECAD 9919 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) MT28F008B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 40-tsop I descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8mbit 90 ns Destello 1m x 8 Paralelo 90ns
M25PE40-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25PE40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25Qu256ABA8E14-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25Qu256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53D384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT: E TR -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-25: B TR -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT53D8DBPM-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DBPM-DC TR -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 Micron Technology Inc. * Tape & Reel (TR) Activo MT53D8 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
MT40A1G8AG-062E AIT:R Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AIT: R -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Alcanzar sin afectado 557-MT40A1G8AG-062EAIT: R 1 1.6 GHz Volante 8 gbit 19 ns Dracma 1g x 8 Paralelo 15ns
MT28F128J3RG-12 ET TR Micron Technology Inc. Mt28f128j3rg-12 et tr -
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Mt28f128j3 Destello 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 Mbbit 120 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo -
M25PX80-VMP6TG0X TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0X TR -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PX80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 4.000 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
NAND02GAH0IZC5E Micron Technology Inc. Nand02gah0izc5e -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-LFBGA Nand02g Flash - nand 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Nand02gah0izc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 MMC -
MT48LC64M8A2TG-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75: C TR -
RFQ
 ECAD 7990 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC64M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar Rohs no conforme 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
M29W160EB80ZA3SE Micron Technology Inc. M29W160EB80ZA3SE -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 1.122 No Volátil 16mbit 80 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 80NS
MT62F3G32D8DV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 WT: B TR 67.8450
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023WT: BTR 2,000 4.266 GHz Volante 96 GBIT Dracma 3G x 32 Paralelo -
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AT: E -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT41J256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-187E: D -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
M58WR032KL70ZA6E Micron Technology Inc. M58WR032KL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-vfbga M58WR032 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 44-vfbga (7.5x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,100 66 MHz No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 2m x 16 Paralelo 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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