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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E768M64D4HJ-046 WT: C TR | 48.1050 |  | 5870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT42L16M32D1HE-18 IT: E TR | 5.5200 | | 9026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT42L16M32D1HE-18IT: ETR | 2.500 | |||||||||||||||
| MT29F2T08EELCHL4-QA: C | 41.9550 | | 1614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHL4-QA: C | 1 | |||||||||||||||
| MT62F1536M32D4DS-023 FAAT: B | 47.8950 | | 9770 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | - | ||
| MT40A2G8JE-062E AAT: E TR | 17.1750 | | 4228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11) | descascar | 557-MT40A2G8JE-062EAAT: ETR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Vana | 15ns | |
| MT62F4G32D8DV-026 AIT: B | 114.9600 | | 2210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026AIT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||
| MTFC128GAVATTC-AAT | 61.8150 | | 4705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-LFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.4V ~ 2.7V | 153-LFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GAVATTC-AAT | 1 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | EMMC | - | |||
| MT29F1T08EELEJ4-T: E | 21.4500 | | 4971 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-T: E | 1 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT40A8G4NEA-062E: F TR | 52.5000 | | 7488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | 557-MT40A8G4NEA-062E: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 8g x 4 | Paralelo | - | |
| MT62F1536M64D8EK-023 AAT: B | 94.8300 | | 4589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||
| MT60B4G4HB-56B: G TR | 23.8200 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT60B4G4HB-56B: GTR | 3.000 | |||||||||||||||
| MT62F512M64D4EK-031 AUT: B TR | 37.4700 | | 7360 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F512M64D4EK-031AUT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | - | ||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: C TR | 120.4350 | | 8839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | descascar | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | |
| MT29F4T08GMLCEJ4-M: C TR | 78.1500 | | 1533 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-M: CTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MTFC256GBCAQTC-AAT ES TR | 99.4350 | | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATESTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT29F4T08EQLCEG8-R: C TR | 121.0800 | | 7256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EQLCEG8-R: CTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-T: C | 83.9100 | | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: C | 1 | |||||||||||||||
| MT62F1G128DAWA-031 XT: B | 136.0800 | | 9343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT: B | 1 | |||||||||||||||
| MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L | 119.5650 | | 3639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 254-BGA | Flash - Nand, DRAM - LPDDR4X | - | 254-TFBGA | - | 557-mt29vzzzcdafqkwl-046w.g0l | 1 | 2.133 GHz | No Volátil, Volátil | 2Tbit (NAND), 64GBIT (LPDDR4X) | Flash, ram | 256g x 8 (NAND), 2G x 32 (LPDDR4X) | UFS2.1 | - | ||
 | MT53E256M32D2FW-046 AUT: B TR | 17.8200 | | 4779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M32D2FW-046AUT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | |
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES: B | 90.4650 | | 5248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||
| MT53E512M64D2HJ-046 AUT: B | 37.9050 | | 2987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | 18ns | |
| MT60B2G8HB-48B: A TR | 16.5750 | | 6131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 82-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 82-vfbga (9x11) | - | 557-MT60B2G8HB-48B: ATR | 3.000 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 2G x 8 | Vana | - | |
| MT29F2T08EELCHD4-M: C TR | 41.9550 | | 1895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M: CTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT29F1T08EELEJ4-M: E TR | 21.4500 | | 4423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-M: ETR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT53E512M64D2HJ-046 AIT: B | 29.9700 | | 2935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AIT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | 18ns | |
| MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 | 20.2200 | | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-vfbga | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-vfbga (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 | 1 | 2.133 GHz | No Volátil, Volátil | 8Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR4) | 25 ns | Flash, ram | 1G x 8 (NAND), 512M X 16 (LPDDR4) | Onde | 20ns, 30ns | |
| MT29F8T08EQLCHL5-QA: C | 167.8050 | | 4857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA: C | 1 | |||||||||||||||
| MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR | 9.9000 | | 6965 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87JTR | 2,000 | No Volátil, Volátil | 4 gbit | 25 ns | Flash, ram | 512m x 8 | Onde | 30ns | ||
| MT40A256M16LY-075: F TR | 8.3250 | | 9073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | 557-MT40A256M16LY-075: FTR | 2,000 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns |
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