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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M50FW080N5TG TR | - |  | 5426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | M50FW080 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 40-tsop | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 33 MHz | No Volátil | 8mbit | 250 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT: B | 18.6300 | | 8974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT: B | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | Js28f064m29ewha | - | | 6390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F064M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT53E1G32D4NQ-053 WT: E TR | - | | 7800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||||||||
| MT48LC4M16A2B4-6A: J | - | | 7115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-vfbga (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.560 | 167 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | 12ns | |||
| MT53E4G32D8GS-046 AIT: C TR | 109.4700 | | 1764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046AIT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
| MT41K1G4THV-15E: M | - | | 7586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 4 gbit | 13.5 ns | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F8G16ABACAH4-IT: C | - | | 1579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F8G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 512m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | M29W160EB70ZA6F TR | - | | 1101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W160 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 AUT: B | 20.3700 | | 7058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
| MT29F4G08ABBDAHC: D | - | | 2475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.140 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT53D256M64D4NY-046 XT ES: B TR | - | | 1879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||||
 | MT29F256G08CJAAAWP: A TR | - | | 1838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | Mtfc32gazaqhd-it | 15.7800 | | 4044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC32GAZAQHD-IT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC | - | |||
| MT62F768M64D4EJ-031 WT ES: A | 62.8950 | | 8114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT62F768 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F768M64D4EJ-031WTES: A | 1.190 | ||||||||||||||||||||
 | MT58L256V32PS-7.5 | 15.6400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT62F1536M64D8CH-036 WT: A | - | | 2308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | MT62F1536 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F1536M64D8CH-036WT: A | Obsoleto | 8542.32.0071 | 119 | 2.75 GHz | No Volátil | 96 GBIT | Destello | 1.5GX 64 | - | - | |||||||
 | M25p16-vmn6ypba | - | | 9762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25P16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 280 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT53D512M32D2DS-053 WT ES: D TR | - | | 7356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||
| Mtfc32galaham-wt tr | - | | 9786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | Mtfc32g | Flash - nand | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| EDW2032BBBG-50-FR TR | 6.4741 | | 1191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | Edw2032 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.65V | 170-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.25 GHz | Volante | 2 GBIT | RAM | 64m x 32 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | MT46H128M16LFDD-48 IT: C | 9.6750 | | 3869 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 208 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 14.4ns | |||
| MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR | - | | 4746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Mt29vzzz7 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | MT29F256G08CMCDBJ5-6R: D | - | | 5572 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 112 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT42L16M32D1AC-25 IT: A | - | | 3433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | MT42L16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-vfbga (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | |||||
 | MT46V32M16BN-75: C TR | - | | 9422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | M25P128-VMF6P | - | | 6090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | M25P128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 50 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 15 ms, 7 ms | ||||
 | MTFC64GAKAEYF-4M | - | | 1500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 153-LFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
 | PC28F064M29EWBX | - | | 8041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
| PC28F256P30TFG | - | | 5004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 100ns |
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