SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
M25PX80-VMP6TG0X TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0X TR -
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PX80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 4.000 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AIT: P TR 8.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT49H16M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25E: B 47.8500
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1.120 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT41J256M8JE-187E:A Micron Technology Inc. MT41J256M8JE-187E: A -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 82-FBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 82-FBGA (12.5x15.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q4329252 EAR99 8542.32.0036 25 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT40A512M16JY-083E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AIT: B -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT: E 49.0500
RFQ
 ECAD 1682 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 376-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53D2048M32D8QD-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-053 WT: D -
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
M29W800DT45ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT45ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 2.500 No Volátil 8mbit 45 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 45ns
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-25: B TR -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT: A TR 63.1350
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: ATR 2,000
MT29F512G08CUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10: A -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT48H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-6 IT: H -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-062 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
M25PE40-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25PE40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
NAND02GAH0IZC5E Micron Technology Inc. Nand02gah0izc5e -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-LFBGA Nand02g Flash - nand 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Nand02gah0izc5e 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 MMC -
MT29F2G16ABBEAM69A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAM69A3WC1 -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F2G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT53D384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT: E TR -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT29F128G08AMAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. Mt29f128g08amaaac5-it: a -
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 52-vlga MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
N25Q064A11ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A11SE40E -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) N25Q064A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.800 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 366-vfbga MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-VfBGA (12x12.7) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
ECB240ABCCN-Y3 Micron Technology Inc. ECB240ABCCN-Y3 -
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto - - - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1
MT47H32M16BN-5E:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-5E: D TR -
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 600 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBBM5-3C: BTR -
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000 333 MHz No Volátil 4tbit Destello 512g x 8 Paralelo -
M29W800DB70N1 Micron Technology Inc. M29W800DB70N1 -
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT53D8DBPM-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DBPM-DC TR -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 Micron Technology Inc. * Tape & Reel (TR) Activo MT53D8 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AT: E -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4TZ-053 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 - -
MT41J256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-187E: D -
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
RC28F320J3D75A Micron Technology Inc. RC28F320J3D75A -
RFQ
 ECAD 2365 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 No Volátil 32Mbit 75 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 75ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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