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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G16TB-062E: F TR | 13.5900 |  | 9072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G16TB-062E: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53E2G64D8EG-046 WT: C | - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2G64D8EG-046WT: C | 1.260 | |||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D2NP-053 RS WT: G TR | - | | 6469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 200 WFBGA | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT: GTR | Obsoleto | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT53D1G16D1Z32MWC1 | - | | 3217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53D1G16D1Z32MWC1 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E2G64D8EG-046 WT: C TR | - | | 3307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2G64D8EG-046WT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 26.7100 | | 4582 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | Objeto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 1 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | - | - | ||||||
| MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L | 2.8800 | | 3986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L | 1 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | - | - | ||||||
| MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR | 25.0350 | | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT40A1G16KD-062E IT: E | - | | 6136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G16KD-062EIT: E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 WT: B TR | 17.9550 | | 6735 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | ||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR | 13.2750 | | 2178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||
 | MT53E512M64D2HJ-046 WT: B TR | 26.1150 | | 4853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | 18ns | |||||
| MT40A2G16TBB-062E: F | 52.5000 | | 9800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A2G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A2G16TBB-062E: F | 1.020 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 2G x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 13.9200 | | 8743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 1.440 | ||||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | - | | 9067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | Obsoleto | 1.440 | ||||||||||||||||||
 | Mtfc64gasaons-it es tr | - | | 7537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC64 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAONS-AITESTR | Obsoleto | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
| Mt29vzzzad9fqfsm-046 w.g9k | - | | 3010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Mt29vzzzad9 | - | ROHS3 Cumplante | 557-mt29vzzzad9fqfsm-046w.g9k | Obsoleto | 152 | |||||||||||||||||||
 | MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G TR | 2.7962 | | 4305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT: G | 2.7962 | | 6625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F2G01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: G | 8542.32.0071 | 1.122 | 83 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 2G x 1 | SPI | - | Sin verificado | |||
| MT62F768M64D4EJ-031 AUT: A TR | 118.2000 | | 8751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT62F768 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: ATR | 1.500 | ||||||||||||||||||||
 | Mt29f2t08emhafj4-3itf: un tr | 70.9650 | | 7425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2T08MHAFJ4-3ITF: ATR | 8542.32.0071 | 2,000 | 333 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT: A | - | | 5645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E1G32D2NP-046WT: A | Obsoleto | 136 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||||
| MT29F4T08GMLBEJ4: B TR | - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F4T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F4T08GMLBEJ4: BTR | Obsoleto | 2,000 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| Mtfc32gapalgt-it | - | | 3412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mtfc32g | Flash - nand | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC32GAPALGT-AT | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||||||||
| MT40A512M16LY-062E AT: E TR | - | | 8981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | - | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | 557-MT40A512M16LY-062ET: ETR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | No Volátil | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E4D1BSQ-DC TR | 22.5000 | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E4 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F | 2.9984 | | 8103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 1 gbit | 20 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
| MT53E1DBDS-DC TR | 22.5000 | | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E1 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT53E384M64D4NK-046 WT: E | - | | 3665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E384M64D4NK-046WT: E | Obsoleto | 119 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | |||||||||
| MT53E4D1BHJ-DC TR | 22.5000 | | 9778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E4 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E4D1BHJ-DCTR | 2,000 |
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