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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1T08EEHBFJ4-R: B TR | - |  | 5266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R: BTR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F2G08ABAGAH4-AAT: G TR | 2.7665 | | 4829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2G08ABAGAH4-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 20ns | |||
 | MT53E128M32D2DS-053 IT: A TR | 7.2300 | | 3509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E128M32D2DS-053IT: ATR | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||||
 | MT40A8G4CLU-062H: E | - | | 4974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | 557-MT40A8G4CLU-062H: E | Obsoleto | 8542.32.0071 | 210 | 1.6 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 8g x 4 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F TR | 3.8498 | | 4284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MTFC64GAPALHT-AAT | 56.9400 | | 579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC64 | Flash - nand | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC64GAPALHT-AAT | EAR99 | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT53E4D1BEG-DC | - | | 5392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT53E4 | - | 557-MT53E4D1BEG-DC | Obsoleto | 1.360 | |||||||||||||||||||
| MT53E2D1BCY-DC | 22.5000 | | 2385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2D1BCY-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
| MT62F768M64D4EJ-031 AUT: A | 118.2000 | | 5019 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT62F768 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: A | 1.190 | |||||||||||||||||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF: A | - | | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF: A | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT62F1G64D8CH-036 WT: A | - | | 8648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | MT62F1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | - | 557-MT62F1G64D8CH-036WT: A | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.190 | 2.75 GHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 1g x 64 | - | - | ||||||||
| MT29F2T08EMHBFJ4-R: B | - | | 8821 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08MHBFJ4-R: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT53E2D1AFW-DC | 22.5000 | | 7718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2D1AFW-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F | 2.9984 | | 6915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 1 gbit | 20 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 20ns | |||
 | MT40A4G8BAF-062E: B | - | | 8492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A4G8BAF-062E: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 168 | 1.6 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 4g x 8 | Paralelo | - | ||
| MT40A1G16KD-062E: E | - | | 5611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G16KD-062E: E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT53D512M32D2DS-046 WT: F TR | 30.7500 | | 7171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53D512M32D2DS-046WT: FTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||||
| MT40A2G8JC-062E: E TR | - | | 8795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A2G8JC-062E: ETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT40A256M16LY-062E AIT: F | 11.8350 | | 4701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Mt40a256m16ly-062eait: F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.080 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT40A256M16LY-062E AUT: F | 18.8100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-2038 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.080 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 TR | 10.3350 | | 5453 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109TR | 3.000 | |||||||||||||||||
| MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 | 10.3350 | | 9303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 | 1.440 | |||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U | 12.3900 | | 9534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Activo | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U | 1.440 | |||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C TR | - | | 9162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Mt29az5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | N25Q128A13B1240E | - | | 2592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | PC28F128M29EWLX | - | | 7317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 128 Mbbit | 60 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| PF48F4400P0VBQ2E | - | | 5761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 88-TFBGA, CSPBGA | 48f4400p0 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-SCSP (8x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | 52 MHz | No Volátil | 512Mbit | 85 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 85ns | |||
| PF58F0033M0Y1BFA | - | | 1078 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | PF58F0033M0 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 290 | |||||||||||||||||
 | PZ28F032M29EWBA | - | | 2974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | PZ28F032M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | No Volátil | 32Mbit | 60 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | M25PE80-VMW6G | - | | 1058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25PE80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms |
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