SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F2G01ABBGD12-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AAT: G TR 2.7665
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F2G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: GTR 8542.32.0071 2,000 83 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
MT29F2T08EELCHD4-T:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-T: C 41.9550
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08EELCHD4-T: C 1
MT41J128M8JP-15E IT:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-15E IT: G -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 667 MHz Volante 1 gbit Dracma 128m x 8 Paralelo -
MT29F1T08EELEEJ4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEJ4-QA: E 26.4750
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F1T08EELEJ4-QA: E 1
MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCDBJ4-6R: D -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 167 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 5582 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 15ns
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX: E TR 2.6952
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT47H64M16HR-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AIT: H -
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29F16G08AJADAWP-IT:D Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP-IT: D -
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
MT29F16G08ADACAH4:C Micron Technology Inc. Mt29f16g08adacah4: c -
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C TR 32.0400
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 557-MT29VZZZCD91SFSM-046W.18CTR 1
MT55L256L18P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT55L256L18P1T-7.5 4.2800
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 4mbit 4.2 ns Sram 256k x 18 Paralelo -
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7 IT: G -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 143 MHz Volante 64 Mbbit 5.5 ns Dracma 2m x 32 Paralelo 14ns
EDB4064B4PB-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA Edb4064 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.680 533 MHz Volante 4 gbit Dracma 64m x 64 Paralelo -
MT47H32M16HR-3:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-3: G TR -
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MTFC8GLWDQ-3L AAT A Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AAT A -
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Mtfc8glwdq-3laata 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT58L256L36PS-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L256L36PS-7.5TR 18.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 8mbit 4 ns Sram 256k x 36 Paralelo -
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XTS: C TR -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT: B 32.9700
RFQ
 ECAD 7178 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E1G32D2FW-046AAT: B 1 2.133 GHz Volante 32 GBIT 3.5 ns Dracma 1g x 32 Paralelo 18ns
MTFC8GACAEDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC8GACAEDQ-AAT -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
PC28F320J3D75B TR Micron Technology Inc. PC28F320J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 6543 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 32Mbit 75 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 75ns
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-062 WT: B -
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AATES: F TR -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT40A1G8SA-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AAT: E 10.1250
RFQ
 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT40A1G8SA-062AAT: E EAR99 8542.32.0036 1.260 1.6 GHz Volante 8 gbit 19 ns Dracma 1g x 8 Paralelo 15ns
MT53D384M32D2DS-046 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT: E TR -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
EDFP164A3PD-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-JD-FD -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - EDFP164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 933 MHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 Paralelo -
EDFB232A1MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFB232 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 933 MHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT58V512V36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36FT-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volante 18mbit Sram 512k x 36 Paralelo -
MT47H64M16HR-25E IT:G Micron Technology Inc. Mt47h64m16hr-25e it: g -
RFQ
 ECAD 5443 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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