SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT28EW256ABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc. Mt28ew256aba1lpc-0sit 9.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 256Mbit 75 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 60ns
N25Q128A11E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11E1240F TR -
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q128A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
M29DW256G70ZA6E Micron Technology Inc. M29DW256G70ZA6E -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29DW256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -M29DW256G70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 16m x 16 Paralelo 70ns
MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6YKFAH-125 W.96N TR -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Mt29tzzz5 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000
MT41J512M4JE-15E:A Micron Technology Inc. MT41J512M4JE-15E: A -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 82-FBGA MT41J512M4 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 82-FBGA (12.5x15.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 2 GBIT 13.5 ns Dracma 512m x 4 Paralelo -
MT46V128M8TG-6T:A Micron Technology Inc. MT46V128M8TG-6T: A -
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 167 MHz Volante 1 gbit 700 PS Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3: H -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT45W1MW16PABA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16PABA-70 WT TR -
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 48-vfbga MT45W1MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 48-vfbga (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 Volante 16mbit 70 ns Psram 1m x 16 Paralelo 70ns
PC28F064M29EWLA Micron Technology Inc. PC28F064M29EWLA -
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa PC28F064 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 64 Mbbit 60 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 60ns
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCDBJ5-6R: D -
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT48LC8M8A2P-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-7E L: G -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 8 Paralelo 14ns
MT46H32M32LFCG-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6: A TR -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-vfbga MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 152-vfbga (14x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 166 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 32m x 32 Paralelo 15ns
EDFP264A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP264A2PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFP264 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 933 MHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 Paralelo -
MT40A8G4BAF-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E: B TR -
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10.5x11) - 557-MT40A8G4BAF-062E: BTR Obsoleto 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz No Volátil 32 GBIT 13.75 ns Dracma 8g x 4 Paralelo -
MT48LC16M8A2P-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A AIT: L -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1.080 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 16m x 8 Paralelo 12ns
MT48LC4M16A2P-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT: G -
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 14ns
MT44K16M36RB-093E:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E: B TR 57.5400
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K16M36 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 1.066 GHz Volante 576Mbit 8 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
M29W640GSL70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6E -
RFQ
 ECAD 6095 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 816 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT53D8DANW-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DANW-DC TR -
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto MT53D8 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F -
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 162-vfbga MT29RZ2B2 Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 1.8V 162-vfbga (10.5x8) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 533 MHz No Volátil, Volátil 2GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2) Flash, ram 256m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDDR2) Paralelo -
MT47H32M16HR-187E:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-187E: G -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 533 MHz Volante 512Mbit 350 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
M25P16-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT61M256M32JE-12 N:A TR Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-12 N: A TR -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA MT61M256 SGRAM - GDDR6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAWP-IT: C TR 7.1000
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUCBBM4-37ES: B TR -
RFQ
 ECAD 1204 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F3T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 3Tbit Destello 384g x 8 Paralelo -
N25Q064A13ESE4MF TR Micron Technology Inc. N25q064a13ese4mf tr -
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.500 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT40A2G4TRF-107E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4TRF-107E: A -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 2G x 4 Paralelo -
EDF8164A3PK-JD-F-R Micron Technology Inc. Edf8164a3pk-jd-frr -
RFQ
 ECAD 9241 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT28EW01GABA1LPC-1SIT Micron Technology Inc. Mt28ew01gaba1lpc-1sit -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 1 gbit 95 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 60ns
PC28F256P30TFA Micron Technology Inc. PC28F256P30TFA -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 16m x 16 Paralelo 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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