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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F2G64D8EK-023 WT ES: B TR | 90.4650 |  | 9393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 AAT: C TR | 63.8550 | | 4836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 TR | 63.1200 | | 1764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29VZZZCDA1SKPR-046W.181TR | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-T: E TR | 85.8150 | | 2502 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-BGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-T: ETR | 2,000 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT53E384M32D2FW-046 AIT: E | 10.7700 | | 2007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | descascar | 557-MT53E384M32D2FW-046AIT: E | 1 | |||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT: C | 42.4500 | | 7309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E2G32D4DE-046WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | |||
| MT53D512M64D4NW-046 WT: F | - | | 2266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | - | 557-MT53D512M64D4NW-046WT: F | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8CL-023 WT: B | 55.3050 | | 9548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||
| MT53E4G32D8GS-046 AIT: C | 109.4700 | | 6034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046AIT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT40A2G4Z11BWC1 | 9.0100 | | 5397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT40A2G4Z11BWC1 | 1 | |||||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: C | 82.1100 | | 9147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT: C | 1 | |||||||||||||||||
| MT29F2T08EELCHD4-QA: C TR | 41.9550 | | 3226 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QA: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C | 56.5050 | | 9598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | descascar | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | 18ns | |||
| MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 312.5850 | | 3687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F16T08GSLCEG4-QB: C | 1 | |||||||||||||||||
| MT41K512M16VRP-107 IT: P TR | 15.2250 | | 9429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | - | 557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT53E256M16D1FW-046 WT: B TR | 7.4850 | | 5256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M16D1FW-046WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | |||
| MTFC64Gasaons-AAT | 41.4750 | | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64Gasaons-AAT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C | - | | 6774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C | 1 | |||||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B TR | 83.7750 | | 2318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | ||||
| MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 3G x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: B TR | 25.1400 | | 3922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT53E128M32D2FW-046 AUT: A | 8.7450 | | 9329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | 18ns | |||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C TR | 60.5400 | | 1980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: C | 22.8450 | | 5308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: C | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C TR | 90.4650 | | 6658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: CTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||||
| MT62F768M64D4EK-023 AIT: B TR | 43.5300 | | 3305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | |||
| MT53E1G32D2FW-046 WT: A | 22.0050 | | 9440 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | ||||
| MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR | 83.2350 | | 3193 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 254-BGA | Flash - Nand, DRAM - LPDDR4X | - | 254 MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR | 2,000 | 2.133 GHz | No Volátil, Volátil | 2Tbit (NAND), 48GBIT (LPDDR4X) | Flash, ram | 256g x 8 (NAND), 1.5GX 32 (LPDDR4X) | UFS2.1 | - | ||||
| MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C | 83.9100 | | 5287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||
| Mtfc256gazaotd-it tr | 90.5250 | | 9917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-mtfc256gazaotd-ittr | 2,000 |
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