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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V128M4BN-6: D | - |  | 7393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 128m x 4 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT29E3T08EQHBBG2-3: B | - | | 6365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 272-LFBGA | MT29E3T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 272-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 333 MHz | No Volátil | 3Tbit | Destello | 384g x 8 | Paralelo | - | ||||
| M29F800FB55M3E2 | - | | 2447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F800 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 40 | No Volátil | 8mbit | 55 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
| MT29F3T08EUCBBM4-37ES: B TR | - | | 1204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F3T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | No Volátil | 3Tbit | Destello | 384g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT48H32M16LFBF-75 IT: B TR | - | | 2102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H32M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR | - | | 2280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C4 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | ||||
 | MT47H64M16HW-3: H | - | | 6164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | MT29F8G08ABACAWP-IT: C TR | 7.1000 | | 950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | PC28F256P30TFA | - | | 7802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
| N25q064a13ese4mf tr | - | | 9961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||
 | MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F | - | | 3536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 162-vfbga | MT29RZ2B2 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | 162-vfbga (10.5x8) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 256m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | |||||
 | N25Q064A13EF8A0E | - | | 1888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | Mt28ew01gaba1lpc-1sit | - | | 3322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28EW01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | No Volátil | 1 gbit | 95 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT48LC8M8A2P-7E L: G | - | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 8 | Paralelo | 14ns | |||
 | MT61M256M32JE-12 N: A TR | - | | 8937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61M256 | SGRAM - GDDR6 | 1.21V ~ 1.29V | 180-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT45W1MW16PABA-70 WT TR | - | | 5312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-vfbga | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT44K16M36RB-093E: B TR | 57.5400 | | 6171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | |||
 | MT45W4MW16BFB-706 WT TR | - | | 8848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT29F256G08CKCDBJ5-6R: D | - | | 3863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT49H16M36BM-25: A TR | - | | 8674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | M29W640GSL70ZF6E | - | | 6095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| MT48LC16M8A2P-6A AIT: L | - | | 2184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 12ns | |||
| MT41J512M4JE-15E: A | - | | 7993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 82-FBGA | MT41J512M4 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 82-FBGA (12.5x15.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | - | |||
 | N25Q128A11E1240F TR | - | | 6224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q128A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF: A | 70.9650 | | 9573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-mt29f2t08emhafj4-3itf: a | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | |||||
| EDFP164A3PD-GD-FD | - | | 8762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | EDFP164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.260 | 800 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | Paralelo | - | |||||
 | MT53E512M32D1NP-046 WT: B TR | 11.7600 | | 6868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M32D1NP-046WT: BTR | 2,000 | |||||||||||||||
| MT46H32M32LFCG-6: A TR | - | | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| MT29E512G08CEHBBJ4-3: B | - | | 7811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29E512G08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
 | MT46V128M8TG-6T: A | - | | 2756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V128M8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 1 gbit | 700 PS | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns |
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