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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC16M16A2BG-75 IT: D | - |  | 6523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-vfbga (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | PC28F640P30B85D TR | - | | 6681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F640 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 85 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT62F4G32D8DV-023 AAT: B | 126.4350 | | 3509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT28F800B5WP-8 T | - | | 2906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F800B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8mbit | 80 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
| EDFP112A3PB-JDTJ-FR TR | - | | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 192m x 128 | Paralelo | - | ||||
| Mt29c2g24maabahakc-5 e it it | - | | 2185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 107-TFBGA | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 107-TFBGA | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 16 (nand), 64m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| EDFM432A1PH-GD-FR TR | - | | 9107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Edfm432 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | Paralelo | - | |||
 | M25P32-VMW3GB | - | | 5573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT41K64M16TW-125: J TR | - | | 2494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 13.75 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | ||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: C TR | 30.2400 | | 6458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT28F800B3WP-9 B TR | - | | 5731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F800B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8mbit | 90 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 90ns | |||
| PC28F256P30B85A | - | | 1913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 85 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | Mtfc64gajaedn-aat tr | - | | 6715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT41K512M8RH-125 AAT: E | - | | 8140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT41J128M8JP-15E IT: G TR | - | | 8150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT48V8M16LFF4-8 IT: G | - | | 3525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48V8M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 2.3V ~ 2.7V | 54-vfbga (8x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT41K512M8DA-107 AIT: P | 8.8800 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: B | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT47H256M8THN-25E: M | - | | 7950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.518 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F256G08AUEDBJ6-12: D TR | - | | 8043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F256G08AUEDBJ6-12: DTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT58L512Y36PT-6 | 18.9400 | | 891 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 18mbit | 3.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
| M25P40-VMN6T TR | - | | 3482 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25P40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
| MT41J512M8RH-093: E | - | | 1040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J512M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR | - | | 4929 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
| Mtfc16gjvec-it tr | - | | 9892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT48LC8M16LFF4-10: G | - | | 4593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48LC8M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 54-vfbga (8x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR | - | | 2763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| MT25TL01GHBBBB8ESF-0AAT | - | | 2032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT41K1G4RH-107: E | - | | 7299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | |||
 | MT47H64M16HR-3 AIT: H | - | | 5505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns |
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