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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28F008B5VG-8 B | - |  | 8677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | MT28F008B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 40-tsop I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8mbit | 80 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | 80NS | |||
 | MT46V32M16CY-5B AAT: J TR | - | | 9850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | Mt60b1g16hc-48b it: un tr | 18.2400 | | 9769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48BIT: ATR | 3.000 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | - | |||||||
 | MT48H16M32LFCM-6 IT: B TR | - | | 4506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MTFC64GAPALHT-AAT | 56.9400 | | 579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC64 | Flash - nand | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC64GAPALHT-AAT | EAR99 | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| M29f160ft5an6e2 | - | | 7392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F160 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 16mbit | 55 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | MT40A512M16JY-075E IT: B | - | | 8220 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,280 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | Mt28ew512aba1hjs-0sit | 12.1700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 512Mbit | 95 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
 | Mtfc4gmvea-it | - | | 9958 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT28F400B3WG-8 TET | - | | 7130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F400B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
 | MT41J128M16JT-093: K | - | | 2675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 1.066 GHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | ||
| MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 TR | - | | 7690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | Mtfc4gmwdm-3m ait a | - | | 6684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Mtfc4gmwdm-3maita | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT45W2MW16BAFB-708 WT | - | | 2904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | M25P80-VMW6TG TR | - | | 5365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT47H64M8CB-37E IT: B TR | - | | 1173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | Volante | 512Mbit | 500 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT52L4DBPG-DC | - | | 3139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT52L4 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.890 | ||||||||||||||||||
 | Mt25qu512abb1ew9-0sit | 9.8600 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | MT25Qu512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| Mt53b2danw-dc tr | - | | 4007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | Volante | Dracma | |||||||||||||
 | MT48LC2M32B2P-5: G | - | | 7995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 4.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | ||
 | EDBA232B2PF-1D-FR TR | - | | 3498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TFBGA | Edba232 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F4G08ABADAH4: D TR | 5.6000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Nand08GAH0FZC5E | - | | 7569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-LFBGA | Nand08g | Flash - nand | 3.135V ~ 3.465V | 153-LFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand08GAH0FZC5E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 52 MHz | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | MMC | - | ||
| MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T | - | | 3738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Mt29tzzz8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | 800 MHz | No Volátil, Volátil | 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Flash, ram | 68g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | |||
| MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 | - | | 4771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F2G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT46V32M8TG-75 IT: G | - | | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v32m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT46V32M16P-75 IT: C | - | | 8321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | - | | 4412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 162-vfbga | MT29RZ4B2 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | 162-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 512m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | |||
| M25P40-VMW6GB | - | | 6966 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53D512M32D2DS-046 WT ES: D TR | - | | 2338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - |
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