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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F2T08GELCEJ4: C TR | 39.0600 |  | 4886 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 AAT: A TR | 15.9600 | | 3441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: C | 31.9350 | | 2429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: C | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E1G16D1FW-046 AAT: A | 15.9600 | | 6318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: C TR | 25.1400 | | 2118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08EULCEM4-QJ: C TR | 121.0800 | | 8818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| Mtfc256gazaotd-it | 90.5250 | | 6889 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-mtfc256gazaotd-it | 1 | ||||||||||||||||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 20.2200 | | 7587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-vfbga | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-vfbga (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 1 | No Volátil, Volátil | 8 gbit | 25 ns | Flash, ram | 1g x 8 | Onde | 30ns | |||
| MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C | 39.0600 | | 5527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F8T08EULCHD5-QA: C TR | 167.8050 | | 5398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-QA: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 36.9000 | | 1779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: G TR | 17.6850 | | 9523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: GTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: A TR | 122.8500 | | 1909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| Mt29gz6a6bpiet-53ait.112 | 18.3750 | | 8592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-vfbga | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-vfbga (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 1 | No Volátil, Volátil | 8 gbit | 25 ns | Flash, ram | 1g x 8 | Onde | 30ns | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C TR | 67.8450 | | 5913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | |||
| MT53E256M32D2FW-046 WT: B TR | 11.6400 | | 9792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M32D2FW-046WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 | 18.3750 | | 9376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-vfbga | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-vfbga (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 | 1 | 2.133 GHz | No Volátil, Volátil | 8Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR4) | 25 ns | Flash, ram | 1G x 8 (NAND), 512M X 16 (LPDDR4) | Onde | 20ns, 30ns | ||
| MT29F1T08EBLCHD4-QA: C TR | 20.9850 | | 5429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B TR | 86.2050 | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT60B2G8HS-48B AAT: A TR | 31.3050 | | 2139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR5 | - | - | - | 557-MT60B2G8HS-48BAAT: ATR | 3.000 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 2G x 8 | Vana | - | ||
| MT29F4T08EQLCEG8-R: C | 121.0800 | | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08EQLCEG8-R: C | 1 | ||||||||||||||||
| Mtfc64gaxaqea-wt tr | 7.5600 | | 1846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC64GAXAQEA-WTTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR | 20.2200 | | 2110 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-vfbga | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-vfbga (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR | 2,000 | No Volátil, Volátil | 8 gbit | 25 ns | Flash, ram | 1g x 8 | Onde | 30ns | |||
| MT62F4G32D8DV-026 WT: B | 90.4650 | | 8776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F1G64D4EK-023 WT: B TR | 45.6900 | | 5908 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR | 86.2050 | | 7352 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 3G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53D512M16D1Z21MWC1 | - | | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | - | 557-MT53D512M16D1Z21MWC1 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||
| MT29F1T08EBLCHD4-M: C | 20.9850 | | 1058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-M: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT60B1G16HC-56B: G | 19.0650 | | 9184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-56B: G | 1 | 2.8 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | - | ||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT: C | 56.5050 | | 7913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns |
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