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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F4G32D8DV-023 FAAT: B | 126.4350 |  | 6960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 11.8300 | | 9604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT: B TR | 63.8550 | | 6049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| Mtfc64gaxauea-wt tr | 7.2600 | | 3248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Flash - Nand (SLC) | - | - | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR | 2,000 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.2 | - | ||||
| MT61M512M32KPA-14 AAT: C | 42.1050 | | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QC: E TR | 52.9800 | | 6135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X | 40.8150 | | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4: C | 78.1500 | | 4679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-023 AIT: B TR | 86.2050 | | 2719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT: BTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F2T08LelEeg7-QD: E TR | 52.9800 | | 1704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08LelEeg7-QD: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F2G01ABBGD12-AUT: G | 3.2005 | | 3418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT: G | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 AUT: B | 73.4400 | | 2000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F2G32D4DS-023 AIT: C TR | 58.0650 | | 9529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F4G01ABBFD12-AUT: F | 4.2603 | | 6955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT: F | 1 | ||||||||||||||||
| MT60B1G16HC-52B IT: G | 18.2400 | | 7376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT60B1G16HC-52bit: G | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M | 10.6800 | | 2586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M | 1 | ||||||||||||||||
 | MT53E256M16D1FW-046 WT: B | 7.7349 | | 7625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M16D1FW-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MTFC128GBCAVTC-AAT ES | 60.4800 | | 1573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MTFC128GBCAVTC-AATES | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 AUT: B TR | 71.3850 | | 9640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT29F512G08EBLEEJ4-QA: E | 13.2450 | | 2426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QA: E | 1 | ||||||||||||||||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR | 29.4000 | | 7673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATESTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F2G64D8CL-023 WT: B | 74.4900 | | 4341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - DDR5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | |||
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| MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B | 31.9350 | | 9571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-mt62f1g32d2ds-023aates: b | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: B TR | 36.0000 | | 4674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT53E1G32D2FW-046 IT: A TR | 27.1500 | | 2425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||
| MT62F2G32D4DS-026 AAT: B TR | 63.8550 | | 9218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR | - | | 3143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | descascar | 557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR | Obsoleto | 2,000 | No Volátil, Volátil | 4 gbit | 25 ns | Flash, ram | 512m x 8 | Onde | 30ns | ||
| MT40A2G8JE-062E AUT: E | 24.0300 | | 2769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11) | descascar | 557-MT40A2G8JE-062EAUT: E | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Vana | 15ns | ||
| MTFC128GBCAVTC-AAT ES TR | 60.4800 | | 5766 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC128GBCAVTC-AATESTR | 2,000 |
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