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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8G08ABACAWP-IT: C TR | 7.1000 |  | 950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT41K256M16V00HWC1 | 4.9169 | | 7206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||||||
 | MT29F32G08ABEDBJ4-12: D TR | - | | 9731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F32G08ABEDBJ4-12: DTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR | 5.0771 | | 4564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25QL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | MT29F1G16ABBEAHC: E TR | - | | 4140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT46V32M16TG-5B: J | - | | 3155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT48LC32M8A2TG-6A: D | - | | 3089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 12ns | ||
 | MT46H32M16LFBF-5 AIT: C | - | | 7731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT28EW256ABA1LPC-0SIT TR | 6.8100 | | 9303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28EW256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 256Mbit | 75 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
 | MT46H64M32LFMA-6 WT: B | - | | 7407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT53D512M32D2DS-046 AAT: D TR | - | | 6871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
 | Mt25qu128aba1ese-0sit tr | 4.4800 | | 1863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT40A1G16TD-062E AIT: F TR | 18.0450 | | 2002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A1G16TD-062EAIT: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |||||||
| MT29F1G01ABAFDSF-IT: F TR | - | | 4700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT29F1G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 1g x 1 | SPI | - | ||||
| Mtfc16galajea-wt tr | - | | 6790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MTFC16 | Flash - nand | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F16G08ABCBBH1-12: B TR | - | | 7916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT46V32M16P-6T: F | - | | 5350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT46H64M32LFCX-5 EN: B | - | | 2590 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: B | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53B256M64D2NL-062 XT: C | - | | 4027 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 960 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT41J64M16JT-187E: G | - | | 8726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
| Mt29f8g08abacawp: c | - | | 5952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Js28f256p33tfa | - | | 6848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256P33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 256Mbit | 105 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 105ns | ||
 | MT29F2G08AAAWP TR | - | | 2588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
| PF48F4000P0ZBQEA | - | | 8864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 88-vfbga, cspbga | 48F4000P0 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-SCSP (8x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 100ns | ||
 | MT29F1T08CUCCBH8-6C: C | - | | 9832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D TR | - | | 1107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||
| Mt53e2ddds-dc | 22.5000 | | 7291 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2DDDDDS-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | MT53B384M32D2NP-062 AAT: B TR | - | | 5753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
| MT53B512M32D2NP-053 WT: C TR | - | | 6714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - |
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