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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48H8M32LFB5-75 IT: G TR | - |  | 8081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | JS28F512P30EF0 | - | | 4795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F512P30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 110ns | ||
 | MT46H64M32L2CG-6 IT: A | - | | 9403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46H8M16LFBF-6 EN: K TR | - | | 4810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H8M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT47H64M16HR-3 L: G TR | - | | 7769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | N25Q128A11ESF40G | - | | 5355 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q128A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-1573-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||
| MT46H128M16LFDD-48 AIT: C | - | | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 208 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 14.4ns | ||
 | MT29F128G08AKCABH2-10: A TR | - | | 1320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR | - | | 4499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT29RZ4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT4A1G16KNR-75: E TR | - | | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT4A1 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
 | MT29F256G08CMCGBJ4-37R: G TR | - | | 4916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F256G08CMCGBJ4-37R: GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT47H64M16U88BWC1 | - | | 3667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | ||||||||||
| MT53B128M32D1Z00NEC2 | - | | 4384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||||||
| MT53B192M32D1Z0AMWC1 | - | | 2800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B192 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volante | 6 gbit | Dracma | 192m x 32 | - | - | ||||||
| MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | - | | 1385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Descontinuado en sic | MT53B512 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES: E TR | - | | 1306 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT53B768M64D8WF-062 WT ES: D TR | - | | 1004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | |||||
| MT53D4DBSB-DC TR | - | | 9447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| Mtfc16gapalna-aat es tr | - | | 4044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | MTFC16 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES: E | - | | 1286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 | - | | 6656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | Mt29vzzz7 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT: B | - | | 2397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||||||
| MT47R512M4EB-25E: C | - | | 2224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47R512M4 | SDRAM - DDR2 | 1.55V ~ 1.9V | 60-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
| MT46H32M32LFB5-5 IT: B | - | | 5754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.440 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT47H512M4EB-25E: C | - | | 1979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.320 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29C1G12MAADVAMD-5 | - | | 4208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 64m x 16 (nand), 32m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| Mt29c2g24maabakaml-5 it it it | - | | 1525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 153-vfbga | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 16 (nand), 32m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| Mt29c4g96mayapcja-5 it | - | | 9508 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 512m x 8 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f128g08amaaac5: a | - | | 1916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT29F128G08AUCBBH3-12IT: B | - | | 7384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - |
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