SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 168-vfbga 168-vfbga (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MTFC32GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc32gapalna-it es tr -
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA Mtfc32g Flash - nand - 100 TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AUT: E -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10RZ: A -
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 100 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT49H32M9FM-33 TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33 TR -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0036 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 32m x 9 Paralelo -
MT47H128M16RT-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E: C TR 15.9000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 400 MHz Volante 2 GBIT 400 ps Dracma 128m x 16 Paralelo 15ns
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4BP-046 WT ES: E -
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MTC10C1084S1TC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1TC48BAZ 171.6000
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTC10C1084S1TC48BAZ 1
MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR 19.8600
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Mt25qu01 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
NAND04GR3B2DN6E Micron Technology Inc. Nand04gr3b2dn6e -
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Nand04g Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand04gr3b2dn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 4 gbit 25 ns Destello 512m x 8 Paralelo 25ns
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10ITZ: A -
RFQ
 ECAD 1321 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 100 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-062 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
N2M400FDB311A3CF TR Micron Technology Inc. N2M400FDB311A3CF TR -
RFQ
 ECAD 4389 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - N2M400 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 52 MHz No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT41K512M8DA-93:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-93: P TR -
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000 1.066 GHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT49H32M18SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-25E: B -
RFQ
 ECAD 8108 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1.120 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
NAND512W3A2SNXE Micron Technology Inc. Nand512w3a2snxe -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Nand512 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 512Mbit 50 ns Destello 64m x 8 Paralelo 50ns
RC28F320J3D75B TR Micron Technology Inc. RC28F320J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 32Mbit 75 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 75ns
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES: B -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MTFC16GJVEC-2F WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-2F WT -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - Mtfc16g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
MT53E512M32D2NP-046 Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 -
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT41J256M8HX-15E AAT:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E AAT: D -
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 2 GBIT 13.5 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-7E: J TR -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 14ns
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E6T08ETHBBM5-3: B TR -
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E6T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 6tbit Destello 768g x 8 Paralelo -
MTFC16GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA MTFC16 Flash - nand 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
MT41K128M8JP-125:G Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125: G -
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 1 gbit 13.75 ns Dracma 128m x 8 Paralelo -
MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 221-WFBGA Mt29tzzz8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6TR Obsoleto 0000.00.0000 1,000 933 MHz No Volátil, Volátil 128Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) Flash, ram 16G x 8 (NAND), 256M x 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
EDFP164A3PD-MD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-MD-FD -
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - EDFP164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.260 1067 MHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 Paralelo -
MT29F4G16ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAH4: E TR -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AAT: B TR -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
M50FLW080BNB5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW080BNB5TG TR -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) M50FLW080 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 33 MHz No Volátil 8mbit 250 ns Destello 1m x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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