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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F512M64D4EK-031 AIT: B TR | 29.6100 |  | 9924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-mt62f512m64d4ek-031ait: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | - | |||
| MT25QL256BBB1EW7-CSIT TR | 5.6550 | | 3259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | 557-MT25QL256BBB1EW7-CSITTR | 4.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | ||
| MT62F512M32D2DS-031 WT: B | 12.2400 | | 5935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F1G16D1DS-023 IT ES: B | 12.5550 | | 9283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G16D1DS-023ITES: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | |||
| MT62F2G32D4DS-023 AIT: B TR | 58.0650 | | 7069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F1T08GBLCEJ4-QM: C | 19.5450 | | 7520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08GBLCEJ4-QM: C | 1 | ||||||||||||||||
| Mt29vzzzad8fqfsl-046 wj.g8k | 47.1600 | | 8378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-mt29vzzzad8fqfsl-046wj.g8k | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F512M64D4EK-031 AIT: B | 29.6100 | | 9303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-mt62f512m64d4ek-031ait: b | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F1536M32D4DS-023 AAT: B | 47.8950 | | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F768M64D4BG-031 WT: A | - | | 2478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-031WT: A | Obsoleto | 1 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | ||
| MT29F8T08GULCEM4-QJ: C TR | 156.3000 | | 7737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QJ: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AAT: A TR | 32.8500 | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E1G32D2FW-046AAT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||
| MTFC128GAOALEA-WT | - | | 5506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | - | 557-MTFC128GAOALEA-WT | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 AAT: C | 63.8550 | | 5422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E512M64D2HJ-046 AAT: B TR | 32.9700 | | 4611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F4G32D8DV-023 FAAT: B TR | 126.4350 | | 2328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F1536M32D4DS-023 AUT: B TR | 55.0800 | | 7028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AUT: BTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AIT: D TR | 16.5000 | | 8697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AIT: DTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 FAAT: C | 63.8550 | | 5581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F8T08GULCEM4-M: C TR | 156.3000 | | 2368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-M: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 19.8600 | | 8676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-026 WT: B TR | 67.8450 | | 4600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 3G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT: B TR | 44.2350 | | 8810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G32D4DS-031 AUT: B TR | 37.4700 | | 4010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AUT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C | 78.1500 | | 1909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT40A256M16LY-062E AUT: F TR | 14.9700 | | 6659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | 557-MT40A256M16LY-062AUT: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns | ||
| MTFC16GAPALGT-S1 AAT | 19.2750 | | 3951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1AAT | 1 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
| MT53E2G32D4DE-046 AIT: C | 51.3600 | | 3421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AIT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1536M32D4DS-023 FAAT: B TR | 47.8950 | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023FAAT: BTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT40A1G16KH-062E AIT: E TR | 15.6150 | | 2850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | descascar | 557-MT40A1G16KH-062EAIT: ETR | 3.000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | 15ns |
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