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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT61M256M32JE-12 NIT: A | - |  | 7034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | SGRAM - GDDR6 | 1.2125V ~ 1.325V | 180-FBGA (12x14) | descascar | 557-MT61M256M32JE-12NIT: A | Obsoleto | 1 | 6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Pod125 | - | ||
 | MT53E512M32D1ZW-046 AAT: B TR | 17.7000 | | 1988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G64D4EK-026 WT: C TR | 68.0400 | | 1407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 9.9000 | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J | 1 | No Volátil, Volátil | 4 gbit | 25 ns | Flash, ram | 512m x 8 | Onde | 30ns | |||
| MTFC256GaxAUEA-WT | 27.5700 | | 9272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC256GaxAUEA-WT | 1 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | UFS | - | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT: C | 45.6900 | | 1443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QD: E | 52.9800 | | 8139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD: E | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AAT: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT29F16T08GWLCEM5: C TR | 312.5850 | | 9743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5: CTR | 1.500 | ||||||||||||||||
| MT60B1G16HC-48B: A | 16.5750 | | 5069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B: A | 1 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | ||
| MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B | 122.7600 | | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C TR | 83.9100 | | 2109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT: H TR | 8.4000 | | 5838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT: HTR | 2,000 | ||||||||||||||||
 | MT53E256M16D1FW-046 AAT: B | 9.3900 | | 2957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M16D1FW-046AAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT: B | 63.8550 | | 9398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F768M64D4BG-031 WT: A TR | - | | 9973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4BG-031WT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | ||
| MT62F1G32D2DS-023 FAAT: C | 31.9350 | | 9713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT: C | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT62F1536M64D8EK-023 AUT: B | 109.0500 | | 5984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AUT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F2G64D8EK-026 AIT: B | 114.9600 | | 7312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-026AIT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F1G64D8EK-031 WT: B TR | 46.6200 | | 6757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031WT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT40A2G8AG-062E AUT: F TR | 22.8450 | | 6573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062AUT: FTR | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53E2G64D8TN-046 AIT: C | 109.4700 | | 8277 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | descascar | 557-MT53E2G64D8TN-046AIT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| MT29F8T08GULCEM4-QB: C | 156.3000 | | 4479 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QB: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F8T08EQLCHL5-QA: C TR | 167.8050 | | 9117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MTC18F1045S1PC48BA2 | 262.0200 | | 3781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | descascar | 557-MTC18F1045S1PC48BA2 | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT: D | 9.3750 | | 9680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: D | 1 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G64D8EK-031 AIT: B | 56.4300 | | 2040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AIT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023 WT ES: B | 40.9200 | | 5505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E1G64D4HJ-046 AIT: C | 51.3600 | | 4947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | descascar | 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| MTFC64GASAQHD-AAT | 31.2900 | | 2756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAQHD-AAT | 1 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - |
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