SIC
close

Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT43A4G80200NFH-S15 ES:A Micron Technology Inc. MT43A4G80200NFH-S15 ES: A -
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT43A4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 240
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F -
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 162-vfbga MT29AZ5A3 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.9V 162-vfbga (10.5x8) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 533 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDDR2) Flash, ram 512m x 8 (nand), 128m x 16 (LPDDR2) Paralelo -
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR Micron Technology Inc. Mt46h64m32l2cg-5 it: un tr -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-vfbga MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 152-vfbga (14x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 64m x 32 Paralelo 15ns
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. Edb1332bdbh-1daat-fd -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 134-vfbga Edb1332 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-vfbga (10x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,100 533 MHz Volante 1 gbit Dracma 32m x 32 Paralelo -
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 2415 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 4 gbit 5 ns Dracma 128m x 32 Paralelo 15ns
MT41J256M16HA-107:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107: E TR -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
M29W800FT70ZA3SF TR Micron Technology Inc. M29W800FT70ZA3SF TR -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 2.500 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
RC28F256P33T85A Micron Technology Inc. RC28F256P33T85A -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F256 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (8x10) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz No Volátil 256Mbit 85 ns Destello 16m x 16 Paralelo 85ns
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6: D -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-TBGA MT29E256G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-062 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT49H32M18FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-33: B TR -
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 300 MHz Volante 576Mbit 20 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
M29W800FB70ZA3SE Micron Technology Inc. M29W800FB70ZA3SE -
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU01GHBBBB8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT41K256M16LY-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K256M16ly-107: N TR -
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT44K64M18RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc. Mt44k64m18rb-107e IT: un tr -
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K64M18 RDRAM 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 1.125 GBIT 8 ns Dracma 64m x 18 Paralelo -
MT61K512M32KPA-14:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14: B -
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA MT61K512 SGRAM - GDDR6 1.31V ~ 1.391V 180-FBGA (12x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.260 7 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 Paralelo -
M29W400DB55N6 Micron Technology Inc. M29W400DB55N6 -
RFQ
 ECAD 2208 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
MTFC128GAZAQJP-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GAZAQJP-AT 57.4500
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga MTFC128 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-vfbga (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1.520 200 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT: B 86.2050
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: B 1 3.2 GHz Volante 96 GBIT Dracma 3G x 32 Paralelo -
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c8g48mazapbja-5 it -
RFQ
 ECAD 8777 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C8G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 8Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 16 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT47H64M16HR-25E IT:G TR Micron Technology Inc. Mt47h64m16hr-25e it: g tr -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. MT29F128G08ECKBJ5-12: D -
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 TR Micron Technology Inc. MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64 TR 12.7200
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT38Q40 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64TR 0000.00.0000 2,000
MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-053 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 WT: A -
RFQ
 ECAD 4253 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53E2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 557-MT53E2G32D4NQ-046WT: A Obsoleto 136 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT58L256L32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-7.5 15.6400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz Volante 8mbit 7.5 ns Sram 256k x 32 Paralelo -
M29W640GSL70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6F TR -
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT48LC16M8A2BB-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A: L -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-FBGA MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 16m x 8 Paralelo 12ns
MT40A1G16HBA-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A1G16HBA-083E: A TR -
RFQ
 ECAD 9096 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9.5x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 16 gbit Dracma 1g x 16 Paralelo -
MT29F2G01ABBGD12-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AATES: G 5.5736
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F2G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 1.122 83 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar