SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Sic programable Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WTA -
RFQ
 ECAD 2267 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V Morir - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 333 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
PC28F640P30B85A Micron Technology Inc. PC28F640P30B85A -
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F640 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 64 Mbbit 85 ns Destello 4m x 16 Paralelo 85ns
MT46V32M16P-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-75 L: C TR -
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP - ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT62F2G64D8EK-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 AIT: B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-026AIT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 128 GBIT Dracma 2G x 64 Paralelo -
MT29F256G08CECABH6-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6: A TR -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT25QL128ABA8E54-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E54-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT25QL128 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 5,000
EMFA164A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA164A2PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 1940 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto EMFA164 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.260
MT48LC8M32B2F5-7 IT Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2F5-7 IT -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48LC8M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 90-vfbga (8x13) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1 143 MHz Volante 256Mbit 6 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 14ns
M29W640GB60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB60ZA6E -
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 187 No Volátil 64 Mbbit 60 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 60ns
MT46V8M16TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16TG-75: D TR -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V8M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 750 ps Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F Micron Technology Inc. Mt29f1g08abbfah4-ite: F 3.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
N25Q256A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A13E1240E -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q256A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-1564 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT41K512M8V80AWC1 Micron Technology Inc. MT41K512M8V80AWC1 -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1 Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
M29W400FB55N3E Micron Technology Inc. M29W400FB55N3E -
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W400 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
M25P64-VMF6PBA Micron Technology Inc. M25P64-VMF6PBA -
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) M25P64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D Micron Technology Inc. MT29F128G08EBCDBJ4-37ES: D -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand Sin verificado 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.120 267 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT40A2G4WE-075E:D TR Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E: D TR -
RFQ
 ECAD 7099 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 2G x 4 Paralelo -
MT46H4M32LFB5-5:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-5: K -
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H4M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 200 MHz Volante 128 Mbbit 5 ns Dracma 4m x 32 Paralelo 15ns
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT: E TR -
RFQ
 ECAD 1943 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E384M32D2DS-046AIT: ETR EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 1.8V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDDR2) Paralelo -
MT53D768M64D4SQ-053 WT:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT: A -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 IT TR -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W8MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 104 MHz Volante 128 Mbbit 70 ns Psram 8m x 16 Paralelo 70ns
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XTS: C TR -
RFQ
 ECAD 2378 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
EDB1332BDPA-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDPA-1D-FD -
RFQ
 ECAD 1795 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA Edb1332 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 3,500 533 MHz Volante 1 gbit Dracma 32m x 32 Paralelo -
MT47H32M16BN-37E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-37E IT: D TR -
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 267 MHz Volante 512Mbit 500 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT47H128M4CB-3:B Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-3: B -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
N25Q128A13ESEDFF TR Micron Technology Inc. N25q128a13esedff tr -
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.500 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT47H32M16HR-25E IT:G TR Micron Technology Inc. Mt47h32m16hr-25e it: g tr -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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