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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES | - |  | 3988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 | - | | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | Obsoleto | 1 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F2G08ABAFAH4-IT: F | - | | 9052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.260 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 | - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 221-WFBGA | Mt29tzzz8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 221-WFBGA (13x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | 933 MHz | No Volátil, Volátil | 128Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Flash, ram | 16g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | |||
 | MT41K256M16TW-107: P TR | 5.2703 | | 3454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K256M16TW-107: PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |
 | MT40A2G8VA-062E: B TR | - | | 7444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT40A2G8VA-062E: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53D1024M32D4DT-046 WT: D TR | - | | 6930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D1024M32D4DT-046WT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||
 | MT53D512M16D1DS-046 WT: D TR | 7.7400 | | 8057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M16D1DS-046WT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | - | - | ||
| MT53D512M32D2DS-046 WT: D TR | - | | 9879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53D512M32D2DS-046WT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
| MT53D512M32D2DS-053 AUT: D TR | 21.9750 | | 3913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M32D2DS-053AUT: DTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||
| MT53D512M64D4HR-053 WT: D TR | - | | 5859 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53D512M64D4HR-053WT: DTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||
| MT53D512M64D8HR-053 WT: B TR | - | | 3728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53D512M64D8HR-053WT: BTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
| MT53E128M16D1DS-046 AIT: A TR | - | | 6212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046AIT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT53E128M16D1DS-046 WT: A TR | - | | 7573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046WT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E128M16D1DS-053 AAT: A TR | - | | 8911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053AAT: ATR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E128M16D1DS-053 WT: A TR | - | | 4200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053WT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT53E128M32D2DS-046 AUT: A TR | 8.7450 | | 3688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-046AUT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
| MT53E128M32D2DS-053 AIT: A TR | 7.9500 | | 1146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-053AIT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
| MT53E128M32D2DS-053 WT: A TR | 6.5700 | | 6912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-053WT: ATR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
 | MT53E1536M32D4DT-046 AAT: A TR | - | | 9685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E1536M32D4DT-046AAT: ATR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | - | - | |||||
| MT53E256M16D1DS-046 AAT: B TR | 9.9600 | | 8260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M16D1DS-046AAT: BTR | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E256M16D1DS-046 AIT: B TR | - | | 2832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E256M16D1DS-046AIT: BTR | Obsoleto | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | - | - | |||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT: B TR | 7.4850 | | 4759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M16D1DS-046WT: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | - | - | |||||
| MT53E256M32D2DS-046 AIT: B TR | 14.0850 | | 4491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-046AIT: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||
| MT53E256M32D2DS-046 IT: B TR | 12.8100 | | 8131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-046IT: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||
| MT53E256M32D2DS-053 AUT: B TR | 17.8200 | | 4577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-053AUT: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||
| MT53E256M64D4NZ-053 WT: B TR | - | | 7217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M64D4NZ-053WT: BTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||
| MT53E2G32D4DT-046 AAT: A TR | 63.1350 | | 9711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046AAT: ATR | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
| MT53E2G32D4DT-046 WT: A TR | 47.4300 | | 6642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046WT: ATR | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
| MT53E512M64D4NK-046 WT: D TR | - | | 1559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E512M64D4NK-046WT: DTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - |
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