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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E512M64D4HJ-046 WT: D | - |  | 3117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: D | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C | 67.8450 | | 5012 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | |||
 | MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR | 9.3750 | | 3734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MT53E512M32D2FW-046 AAT: D | 19.1100 | | 6041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E512M32D2FW-046AAT: D | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | |||
| Mtfc256gavattc-aat tr | 90.4350 | | 3154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC256GAVATTC-AATTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| Mtfc256gaxauea-wt tr | 27.5700 | | 9228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC256GaxAUEA-WTTR | 2,000 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | UFS | - | ||||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: A | 122.8500 | | 7137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F2G64D8EK-023 WT: C TR | 90.4650 | | 4584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT: CTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B TR | 122.7600 | | 1782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||
| MT53D512M16D1DS-046 IT: D TR | 8.5200 | | 4756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53D512M16D1DS-046IT: DTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT53E512M32D1ZW-046 AUT: B TR | 20.3700 | | 2660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MTFC128Gasaons-AT | 67.0200 | | 5169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q104 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128Gasaons-AT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| MT62F2G64D8EK-023 AAT: B TR | 126.4350 | | 9278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | |||
| MT62F3G32D8DV-026 WT: B | 67.8450 | | 3004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 3G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT: C TR | 64.9800 | | 6952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT29F2G01ABBGD12-AUT: G TR | 3.1665 | | 6983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT: GTR | 2.500 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-QA: C TR | 83.9100 | | 3216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QA: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F1T08EBLCHD4-QA: C | 20.9850 | | 4155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT41K512M16VRP-107 AAT: P | 18.4350 | | 3457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | 557-MT41K512M16VRP-107AAT: P | 1 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT60B2G8HS-48B AAT: A | 31.3050 | | 3478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | SDRAM - DDR5 | - | - | - | 557-MT60B2G8HS-48BAAT: A | 1 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F8T08GULCEM4-QM: C | 156.3000 | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QM: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F1T08EELEJ4-QJ: E | 26.4750 | | 2373 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-QJ: E | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08EQLEEG8-QD: E TR | 105.9600 | | 4206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F2T08EELCHD4-M: C | 41.9550 | | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AIT: C | 29.0250 | | 8414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT: C | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B | 14.7000 | | 5366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT53E256M32D2FW-046 AAT: B TR | 15.4950 | | 1410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT40A1G16TD-062E AUT: F | 22.8450 | | 3279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A1G16TD-062AUT: F | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | 15ns | ||
| MT60B1G16HC-48B: A TR | 16.5750 | | 2988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B: ATR | 2,000 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | - | ||
| MT62F512M64D4EK-031 WT: B | 23.3100 | | 7515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F512M64D4EK-031WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | - |
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