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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8T08EQLCHL5-QA: C TR | 167.8050 |  | 9117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MTC18F1045S1PC48BA2 | 262.0200 | | 3781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | descascar | 557-MTC18F1045S1PC48BA2 | 1 | ||||||||||||||||
 | MT53E512M16D1FW-046 AIT: D | 9.3750 | | 9680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: D | 1 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 18ns | ||
| MT62F1G64D8EK-031 AIT: B | 56.4300 | | 2040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AIT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
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| MT53E1G64D4HJ-046 AIT: C | 51.3600 | | 4947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | descascar | 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | 18ns | ||
| MTFC64GASAQHD-AAT | 31.2900 | | 2756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAQHD-AAT | 1 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
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| MT29F4T08GllCEG7-QB: C | 78.1500 | | 9217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08GllCEG7-QB: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT61K512M32KPA-14: C TR | 25.3500 | | 9725 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | SGRAM - GDDR6 | 1.3095V ~ 1.3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-14: CTR | 2,000 | 7 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | POD_135 | - | |||
| MT62F1536M32D4DS-026 AIT: B TR | 43.5300 | | 2620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | |||
| Mtfc128gaxatea-wt | 20.4900 | | 9129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GAXATEA-WT | 1 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | UFS 3.1 | - | ||||
| MT29F16T08GWLCEM5-QJ: C | 312.5850 | | 2599 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5-QJ: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 WT: B | 11.6400 | | 7947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M32D2FW-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MT30AZZZDDB0TPWL-031 WL.19R | 108.7200 | | 7884 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19R | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F1T08EBLCHD4-QC: C | 20.9850 | | 8719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QC: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E256M32D2FW-046 IT: B | 12.8100 | | 5211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M32D2FW-046IT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | ||
| MTFC64GASAQHD-AAT TR | 31.2900 | | 5384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAQHD-AATTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
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| MT62F768M64D4EK-023 FAAT: B TR | 47.8950 | | 2857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | ||
| MT62F2G32D4DS-023 IT: C | 50.2800 | | 1002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023IT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08EELCHD4-QJ: C TR | 41.9550 | | 1703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QJ: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-QB: C TR | 39.0600 | | 8447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QB: CTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT40A2G8AG-062E AUT: F | 22.8450 | | 7299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062AUT: F | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F2T08GELCEJ4-M: C | 39.0600 | | 5714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-M: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-026 WT: B | 45.6900 | | 3874 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | |||
| MT29F4T08EULKEM4-ITF: K | 136.1250 | | 3350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF: K | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08EULGEM4-ITF: G TR | 130.1100 | | 8374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF: GTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F768M64D4EK-023 WT ES: B | 61.3800 | | 9141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WTES: B | 1 | |||||||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 AIT: A TR | 111.7050 | | 7612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AIT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns |
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