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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E128M16D1DS-046 AIT: A | - |  | 7913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046AIT: A | Obsoleto | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
 | MT29F2T08EELCHL4-QA: C TR | 41.9550 | | 8860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHL4-QA: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT46H16M32LFCM-5 IT: B | - | | 5861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B | - | | 3629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 6 gbit | Dracma | 384m x 16 | - | - | |||||
 | PC48F4400P0VB00B TR | - | | 8708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC48F4400 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 512Mbit | 85 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT40A8G4BAF-062E: B | - | | 5484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10.5x11) | - | 557-MT40A8G4BAF-062E: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 168 | 1.6 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 8g x 4 | Paralelo | - | ||||
 | MT53D1024M32D4DT-053 AIT: D TR | 35.5500 | | 6876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | |||
| MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 | 27.4375 | | 8446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | - | 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 | 1.520 | |||||||||||||||||||||
| MTFC32Gasaons-AAT | 23.2950 | | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC32Gasaons-AAT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A | 96.1650 | | 4720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES: A | 136 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | |||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-QA: C | 39.0600 | | 1460 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QA: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K128M16JT-107 AAT: K | 7.7700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K128M16JT-107AAT: K | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.224 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | MT29F128G08CFABAWP: B | - | | 9973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
| Mt29f64g08cbaaal74a3wc1p-v | - | | 4476 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||||||
 | Mt29c4g48mazbaaks-5 e wt tr | - | | 1922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-vfbga | MT29C4G48 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-vfbga (13x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
 | MT58L128L36P1T-4.4 | 4.5900 | | 247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L128L36 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 225 MHz | Volante | 4mbit | 2.6 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
| MT62F4G32D8DV-026 AIT: B TR | 114.9600 | | 6187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026AIT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT40A512M16TD-062E AIT: R TR | - | | 4133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 96-TFBGA | 96-FBGA (7.5x13) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A512M16TD-062EAIT: RTR | 1 | |||||||||||||||||
| EDB2432B4MA-1DIT-FD | - | | 2672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | Edb2432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A | - | | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||||
| MT62F768M64D4EJ-031 AIT: A | 93.4500 | | 9757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT62F768 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F768M64D4EJ-031AIT: A | 1.190 | |||||||||||||||||||
| MT53D384M32D2DS-053 AAT: E TR | - | | 4235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
| MT62F512M32D2DS-031 AAT: B TR | 17.4150 | | 3865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT61M256M32JE-12 N: A | - | | 9390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61M256 | SGRAM - GDDR6 | 1.21V ~ 1.29V | 180-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT25Qu512ABB1EW9-0SIT TR | 10.7200 | | 604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | MT25Qu512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| M29W128GL90N6E | - | | 1419 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 128 Mbbit | 90 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
 | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | - | | 3575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | -Mt28ew512aba1hjs-0aat | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 512Mbit | 105 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| Mt28ew512aba1hpn-0sit | - | | 9142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-vfbga (7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.560 | No Volátil | 512Mbit | 95 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| MT41K512M8V00HWC1-N001 | - | | 5235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | MT47H64M8B6-37E IT: D TR | - | | 6607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | Volante | 512Mbit | 500 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns |
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