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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M28W160CB70N6F TR | - |  | 4938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M28W160 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MT41K256M16TW-17 XIT: P TR | - | | 1888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,000 | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | JS28F00AP33TFA | - | | 9635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F00AP33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 1 gbit | 105 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 105ns | |
 | MTFC32GANALEA-WT | - | | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | Mtfc32g | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
| Mt29c4g96mazbackd-5 wt | - | | 4646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
 | MT45W2MW16PAFA-70 | - | | 2568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-vfbga | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-vfbga (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
| JS28F256J3F105B TR | - | | 1724 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 256Mbit | 105 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 105ns | ||
| MT41K1G4THD-187E: D | - | | 8883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM - DDR3 | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 4 gbit | 13.125 ns | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | |
 | MT47H32M16NF-25E IT: H | - | | 6537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P | - | | 1214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT41DC11TW-V88A TR | - | | 7892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | MT41DC | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||
 | Mt29c4g48mazbbaks-48 it it it it | - | | 5160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-vfbga | MT29C4G48 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-vfbga (13x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | 208 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||
 | MT29F512G08CUCABH3-10R: A TR | - | | 5312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT49H32M9SJ-25: B | - | | 4433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H32M9 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.120 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 32m x 9 | Paralelo | - | |
 | MT44K32M18RB-125E: A TR | - | | 5472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M18 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 10 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | |
 | Mtfc16gjdec-4m it | - | | 4997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-WFBGA | Mtfc16g | Flash - nand | 1.65V ~ 3.6V | 169-WFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | |||
| MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R | 7.2500 | | 2790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT53B256M64D2TG-062 XT: C | - | | 9197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 960 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||
 | MT53B128M32D1NP-062 AIT: A | - | | 5149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
 | TE28F320C3TD70A | - | | 7659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | 28F320C3 | Flash - Bloque de Arranque | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
| MT29F64G08CBCGBWP-BES: G | - | | 9902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT46H64M32LFCX-6 WT: B | - | | 2916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53B128M32D1NP-062 AUT: A | - | | 5229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
 | MT53D1024M64D8NW-053 WT ES: D | - | | 2239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||
| MT48LC16M16A2Y66AWC1 | - | | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 14ns | |
| MT46H256M32L4JV-6 WT: B | - | | 7724 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 8 gbit | 5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F64G08CBCABH1-12Itz: A TR | - | | 1670 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D | - | | 2070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||
 | M29DW128F60ZA6E | - | | 8204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M29DW128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | No Volátil | 128 Mbbit | 60 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 60ns | ||
| EDFP112A3PB-JD-FR TR | - | | 8127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 192m x 128 | Paralelo | - |
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