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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDB2432B4MA-1DAAT-FR TR | - |  | 3672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | Edb2432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | - | | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 162-vfbga | MT29RZ4B2 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | 162-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 512m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | |||
 | Mtfc8gamalbh-aat tr | 11.1750 | | 7981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC8 | Flash - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53B4DBNQ-DC | - | | 8876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | 200-vfbga | Mt53b4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | Volante | Dracma | |||||||||||
 | MT45W4MW16PBA-70 | - | | 7121 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| Mt42l64m64d2kh-3 it: a | - | | 5023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 216-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 64m x 64 | Paralelo | - | ||||
 | MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR | 19.6100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25QL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | PC28F128P33TF60E TR | - | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F128 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 60 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| M29W010B70N1 | - | | 6108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W010 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 32-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 1 mbit | 70 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 70ns | |||
 | M29W160ET70N6E | - | | 1831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W160 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -M29w160et70n6e | EAR99 | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MT46V64M8P-75: D | - | | 5808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT40A512M16HA-083E: A | - | | 6927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||
| MT29E512G08CUCDBJ6-6: D TR | - | | 4966 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29E512G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F64G08AEAAAC5-Z: A | - | | 2667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | M28W320FCB70ZB6F TR | - | | 3858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 47-TFBGA | M28W320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 47-TFBGA (6.39x6.37) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT46V256M4TG-6T: A | - | | 5031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v256m4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 1 gbit | 700 PS | Dracma | 256m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53B384M32D2NP-062 XT: B TR | - | | 8494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT47H64M8SH-25E AAT: H TR | - | | 3819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| M50FLW040AnB5G | - | | 7688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | M50FLW040 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 32-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | No Volátil | 4mbit | 250 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | - | ||
 | N25q128a13eseh0e | - | | 5148 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.800 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT48LC16M8A2P-75: GTR | - | | 5953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT47H256M4CF-25E: H | - | | 1382 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 256m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46H64M16LFBF-5 AIT: B | 7.0374 | | 4523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAH4: E | - | | 2848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F | 2.9984 | | 6142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT29F1G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 1g x 1 | SPI | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAH4-AATX: E TR | - | | 5703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT40A1G16TD-062E AIT: F | 18.0450 | | 9291 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A1G16TD-062EAIT: F | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |||||||
| M25P16-VMW6TG TR | - | | 4182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT29F1T08CUECBH8-12: C TR | - | | 6167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT53B768M32D4TT-062 WT: B | - | | 1065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 1.6 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - |
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