SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
N25Q128A13BSFH0F Micron Technology Inc. N25Q128A13BSFH0F -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT47H128M8JN-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-3 IT: H -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
MT47H64M16HR-3 L:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L: H TR -
RFQ
 ECAD 9120 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT46V128M4P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B: J -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
EDBA232B2PD-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA232B2PD-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edba232 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 Paralelo -
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AUT: A 12.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E128M32D2DS-053AUT: A EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
M29W128GH70N3E Micron Technology Inc. M29W128GH70N3E -
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL64GRBA6EBL-0GCT -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto MT28HL64 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 270
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT: B TR 37.9050
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT 3.5 ns Dracma 1g x 32 Paralelo 18ns
MT53E512M64D4NW-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-046 WT: E -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - Obsoleto 0000.00.0000 1.190 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT41K512M4DA-107:K Micron Technology Inc. MT41K512M4DA-107: K -
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 512m x 4 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MTFC4GLMDQ-AIT Z Micron Technology Inc. Mtfc4glmdq-it z -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa Mtfc4 Flash - nand - 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
M29W320DB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70N3F TR 1.8532
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns Sin verificado
MT46V32M16P-5B XIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B XIT: J TR -
RFQ
 ECAD 7391 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F2T08ELLCEG7-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ElLCEG7-R: C 60.5400
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08ElLCEG7-R: C 1
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR -
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto MT29RZ4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F2T08EMLEEJ4-M:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-M: E TR 42.9300
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR 2,000
JS28F256P33BFA Micron Technology Inc. JS28F256P33BFA -
RFQ
 ECAD 2636 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz No Volátil 256Mbit 105 ns Destello 16m x 16 Paralelo 105ns
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M64D4PQ-107 WT: B -
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 253-vfbga MT52L512 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 253-vfbga (11x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.890 933 MHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT29F16G08AJADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP: D TR -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
MT29F4T08EULEEM4-QC:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-QC: E 105.9150
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F4T08EULEEM4-QC: E 1
N25Q256A83ESFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A83ESFA0F TR -
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q256A83 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
PC28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. PC28F256J3D95B TR -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 256Mbit 95 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 95ns
MTFC32GLXDI-WT Micron Technology Inc. Mtfc32glxdi-wt -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - Mtfc32g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDWB-IT: F -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn MT29F4G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8 updfn (8x6) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -MT29F4G01ABAFDWB-IT: FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1.560 No Volátil 4 gbit Destello 4g x 1 SPI -
MTFC64GJVDN-3M WT TR Micron Technology Inc. Mtfc64gjvdn-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC64 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
MT53D256M64D4KA-046 XT:B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT: B -
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MT49H32M18BM-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-18: B -
RFQ
 ECAD 7001 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 533 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
M29DW323DB70N3E Micron Technology Inc. M29DW323DB70N3E -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29DW323 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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