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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K2G8KJR-125: A TR | - |  | 4244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K2G8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | 13.5 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT40A2G4SA-075 C: E | - | | 5780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT40A2G4SA-075C: E | Obsoleto | 1.260 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT53B512M64D4NW-062 WT ES: D | - | | 1261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||||
 | MT48LC8M16LFF4-75 IT: G TR | - | | 1769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48LC8M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 54-vfbga (8x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53D512M16D1Z11MWC2 | 14.9600 | | 5629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Una granela | Activo | MT53D512 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT52L256M32D1PF-093 WT: B | - | | 6342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 178-vfbga | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 1067 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT41K512M8DA-125: P | - | | 6238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.5 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT47H256M4CF-3 IT: H | - | | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 256m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
| MT42L384M32D3LP-18 WT: A | - | | 3410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT42L384M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT47H64M16HR-25: H TR | - | | 2591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53B256M32D1DS-062 XT: C | - | | 1196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||
| MT29E256G08CMCABJ2-10Z: A | - | | 7387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-TBGA | MT29E256G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
| N25Q064A13E5340F TR | - | | 8742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfbga | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-XFSCSP (2.93x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT44K32M18RB-107: A TR | - | | 9681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M18 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 576Mbit | 10 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | |||
 | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES: E TR | - | | 3194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53D1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAWP: E | 3.8500 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f8g08abacawp: c tr | - | | 4847 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F2G08ABAEAWP-AT: E TR | - | | 5203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt46v64m8tg-6t l: f tr | - | | 7393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT41J256M16HA-093G: E | - | | 3506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
| MT29F2T08EELCHL4-QA: C TR | 41.9550 | | 8860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHL4-QA: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT25QL128ABB8E12-0AUT TR | - | | 9485 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25QL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| EDFP112A3PB-JD-FD | - | | 1479 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 192m x 128 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F8G08ABACAH4-IT: C TR | 7.7200 | | 182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | - | | 3575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | -Mt28ew512aba1hjs-0aat | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 512Mbit | 105 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| MT28HL32GQBB3ERK-0GCT | 73.5000 | | 3353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT28HL32 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
 | MT48LC4M32LFB5-8: G TR | - | | 2312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT41K512M8V00HWC1-N001 | - | | 5235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT44K16M36RB-107E IT: B | - | | 9522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 933 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT41K512M16HA-125 AIT: A | - | | 6111 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 13.5 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - |
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