SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC256R2VM onsemi MOC256R2VM -
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc256 AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
HMHA2801CR3V onsemi HMHA2801CR3V -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
MOC3071SR2VM onsemi MOC3071SR2VM 0.3873
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc307 UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-MOC3071SR2VMTR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 800 V 540 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
HCPL0453R1 onsemi HCPL0453R1 -
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL04 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
MOC5007TVM onsemi MOC5007TVM -
RFQ
ECAD 1497 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 7500vpk 1/0 - -
HCPL2611VM onsemi HCPL2611VM -
RFQ
ECAD 1901 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 5.5V 8 pdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-HCPL2611VM EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
H11L1300W onsemi H11L1300W -
RFQ
ECAD 4120 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 5300 VRMS 1/0 - -
MOC207R2M onsemi MOC207R2M 0.9600
RFQ
ECAD 19 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc207 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
4N27SR2M onsemi 4N27SR2M 0.8400
RFQ
ECAD 6218 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MCT2202300W onsemi MCT2202300W -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2202300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3071M onsemi Moc3071m 1.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc307 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.18V 60 Ma 4170vrms 800 V 540 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
74OL6011 onsemi 74ol6011 -
RFQ
ECAD 3027 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 74ol601 Lógica 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 15V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 50ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
MOC8107W onsemi MOC8107W -
RFQ
ECAD 6218 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8107W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 300% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FODM3053R4 onsemi FODM3053R4 -
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
H11N1W onsemi H11N1W -
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz - 1.4V 3.2MA 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
HCPL0611R2 onsemi HCPL0611R2 5.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0611 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
H11A817S onsemi H11A817S -
RFQ
ECAD 5690 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817S-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
4N32W onsemi 4N32W -
RFQ
ECAD 9601 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N32W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
4N26SM onsemi 4N26SM 0.7600
RFQ
ECAD 9101 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
H11D43SD onsemi H11D43SD -
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D43SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 10% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
HMHA2801BR4 onsemi HMHA2801BR4 -
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
SL55013S onsemi SL55013S -
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota SL5501 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL55013S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.23V 100 mA 5300 VRMS 25% @ 10mA 400% @ 10mA 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
MOC8101SD onsemi MOC8101SD -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8101SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD617A3S onsemi FOD617A3S -
RFQ
ECAD 3157 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
MOC3082FR2M onsemi MOC3082FR2M -
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3082FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 800 V 500 µA (topos) Si - 10 Ma -
4N313S onsemi 4N313S -
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N31 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N313S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
FOD816W onsemi FOD816W -
RFQ
ECAD 7052 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD816 AC, DC 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
MOC8050300W onsemi MOC8050300W -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC805 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8050300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
CNY17F2M onsemi CNY17F2M 0.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17F Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC5007SR2M onsemi MOC5007SR2M -
RFQ
ECAD 7701 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 7500vpk 1/0 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock