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Optoisoladores (794)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HCPL2531TSVM Fairchild Semiconductor HCPL2531TSVM 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 224 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
MOC3062SR2M Fairchild Semiconductor MOC3062SR2M 0.4700
RFQ
 ECAD 713 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 713 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
MOC3081SVM Fairchild Semiconductor MOC3081SVM 1.0000
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 15 Ma -
CNY174SVM Fairchild Semiconductor CNY174SVM -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
CNY174SR2M Fairchild Semiconductor CNY174SR2M -
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
CNY17F3M Fairchild Semiconductor CNY17F3M -
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17F Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
CNY174TVM Fairchild Semiconductor CNY174TVM 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.588 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
6N136VM Fairchild Semiconductor 6n136vm 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 297 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
MOC3062VM Fairchild Semiconductor Moc3062vm -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
H11G1SR2VM Fairchild Semiconductor H11G1SR2VM -
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 - - 100V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1v
MOC3052TVM Fairchild Semiconductor MOC3052TVM 0.3200
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc305 Ur, vde 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 945 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
MOC3033SM Fairchild Semiconductor MOC3033SM -
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 Ul 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
FOD814A3SD Fairchild Semiconductor FOD814A3SD 1.0000
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
MCT6S Fairchild Semiconductor MCT6S 1.0000
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
4N33TVM Fairchild Semiconductor 4N33TVM 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.161 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1v
MOC3011SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3011SR2VM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 733 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
H11L3SM Fairchild Semiconductor H11L3SM -
RFQ
 ECAD 8788 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
FOD4116V Fairchild Semiconductor Fod4116v 1.6600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD4116 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 181 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
FODM3053V Fairchild Semiconductor FODM3053V 1.0000
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 5 mm -
FOD814ASD Fairchild Semiconductor Fod814asd -
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
4N31 Fairchild Semiconductor 4N31 0.0900
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.881 - - 55V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
FODM3011R3V Fairchild Semiconductor FODM3011R3V 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
CNY172TVM Fairchild Semiconductor CNY172TVM 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.584 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
CNY17F3W Fairchild Semiconductor CNY17F3W 0.0900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MOCD207VM Fairchild Semiconductor MOCD207VM -
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 1 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MCT5211TVM Fairchild Semiconductor MCT5211TVM 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 501 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 4170vrms 150% @ 1.6MA - 14 µs, 2.5 µs 400mv
FODM3011R4 Fairchild Semiconductor FODM3011R4 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
TIL117SR2VM Fairchild Semiconductor Til117sr2vm 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 - 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (máx) 400mv
MOC3063M Fairchild Semiconductor Moc3063m -
RFQ
 ECAD 2472 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) UL, VDE 1 Triac 6 Dipp - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-MOC3063M-600039 1 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
FODM3083 Fairchild Semiconductor FODM3083 -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota UL, VDE 1 Triac 4-SMD - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FODM3083-600039 1 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 800 V 70 Ma 300 µA Si 600V/µs 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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