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Optoisoladores (794)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC3042TVM | 0.6600 |  | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc304 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 496 | 1.25V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
 | FOD0738 | 3.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 2 MA | 15mbd | 12ns, 8ns | 1.45V | 20 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 25kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| 4N36_NL | 0.0900 | | 6490 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.49.8000 | 32 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 9 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | Moc211vm | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.398 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | H11AA4SVM | 0.3100 | | 46 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.065 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||
| H11A1VM | 1.0000 | | 5228 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| Til111tm | 0.1000 | | 6118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 755 | 2mera | 10 µs, 10 µs (máx) | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | - | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | HCPL3700SV | 2.4500 | | 842 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Darlington | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 30mera | 45 µs, 0.5 µs | 20V | - | 2500 VRMS | - | - | 6 µs, 25 µs | - | ||||||||||||||||||
| 4N37TM | - | | 1353 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| MOC3051TVM | - | | 8583 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc305 | Ur, vde | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||||
| MOC3010 | 0.3300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc301 | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 919 | 50 Ma | 5300 VRMS | 250 V | 100 µA | No | 15 Ma | |||||||||||||||||||||
| CNY17F4SD | 0.2200 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| MOC3083SR2VM | - | | 3014 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||
 | FOD852S | - | | 3990 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 100 µs, 20 µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | 15000% @ 1MA | - | 1.2V | |||||||||||||||||
| H11AV1VM | 0.2900 | | 40 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,030 | - | - | 70V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | 300% @ 10mA | 15 µs, 15 µs (máx) | 400mv | |||||||||||||||||
| Moc3063vm | - | | 3862 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||
 | FOD2743CV | 0.3300 | | 980 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 980 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| 6n138s | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 7V | 1.3V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 1,5 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||
 | HMA121R1 | 0.0900 | | 7781 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,001 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | ||||||||||||||||
| 4n26m | 0.1700 | | 2803 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 64 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 500mv | |||||||||||||||||
| FOD4218 | - | | 1869 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD421 | Cul, Fimko, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | |||||||||||||||||
| HCPL0530 | 1.7900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
| H11d1m | - | | 3923 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 100mA | 5 µs, 5 µs | 300V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||
| FOD2742CR2 | 0.3600 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | Moc3021sm | 0.2300 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,280 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | |||||||||||||||||
| MOC212R2M | 1.0000 | | 9631 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| HCPL2530S | - | | 9360 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 24 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
| Fod2711asd | 0.6100 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 495 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | FODM452R2V | 1.0000 | | 8486 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 5-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | 50% @ 16MA | 400ns, 350ns | - | |||||||||||||||||
| MOC3051SR2VM | - | | 8271 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Ur, vde | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 15 Ma | - |
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