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Optoisoladores (1738)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4T7TRUC, F -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160J - 1 (ilimitado) 264-TLP160J (V4T7TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (TP, E 2.2400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2770 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 20mbd 1.3ns, 1ns 1.5V 8 MA 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP2958F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F (f) -
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2958 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8 Dipp descascar 264-TLP2958F (f) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (ilimitado) 264-TLP627-2 (D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (SAN-TL, F -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9114B (SAN-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-LF1, E 0.9300
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ITO-TPR, U, F -
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (ITO-TPRUFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP732(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP733 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP733 (D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 4000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4TP4, E 2.6700
RFQ
 ECAD 6851 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5772 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 56ns, 25ns 1.55V 8 MA 5000 VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GR-TP, E) -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP630(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP630 AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, E) -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP290(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (V4GBTP, SE 0.5100
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (PEDGBTLF (O -
RFQ
 ECAD 2766 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLX9185 (PEDGBTLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP108(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (f) -
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP108 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991 8541.49.8000 150 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4DMT7TRCF -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161J (V4DMT7TRCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP525G(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) CSA, CUL, UL 1 Triac 4-SMD descascar 264-TLP525G (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 100 mA 600 µA No 200V/µs 10 Ma -
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651 (O, F) -
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP651 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP651 (DE) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA - 300ns, 500ns -
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP120 (GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP9121A(YSKGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (YSKGBTL, F -
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (YSKGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4TP4, E 1.9900
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP127(ISH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ISH-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (ISH-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719 (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GRF7, F -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4GRF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(D4GB-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GB-T6, F -
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4GB-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2958F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F (TP4, F) -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8-SMD descascar 264-TLP2958F (TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP550 -TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550-TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP9104(SND-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (SND-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104 (SND-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-LA, E 1.7900
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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