SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP291(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (Y-TP, SE 0.6000
RFQ
ECAD 1551 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB-LF7, F) -
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (GB-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BLL-TP, SE 0.6100
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP388(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (TPL, E 0.7900
RFQ
ECAD 3550 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP388 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (TP, SE 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPR, E 0.8700
RFQ
ECAD 5699 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP387 Corriente Continua 1 Darlington 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1v
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4-TPL, E 1.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPL, E 0.5600
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (V4-TPR, E 1.9100
RFQ
ECAD 4072 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2372 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 20Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (4LGBTPE 1.6300
RFQ
ECAD 4797 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 (GB, F) -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP504 Corriente Continua 4 Transistor 16 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (E 0.8100
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2303 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 80mera - 18V - 20 Ma 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP550(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Fanuc, F) -
RFQ
ECAD 6079 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (FANUCF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (f) 1.8500
RFQ
ECAD 579 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2955 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 25 Ma - 16ns, 14ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GR-LF1, F) -
RFQ
ECAD 7867 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531 (GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 (E 1.8000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP3905 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 30 µA (typ) - 7V 1.65V 30 Ma 3750vrms - - 300 µs, 1 m -
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPR, E 1.7700
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2370 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP185(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR, E) -
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A (TP, F) -
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2166 Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 3V ~ 3.63V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 10 Ma 15mbd 5ns, 5ns 1.65V 15 Ma 2500 VRMS 2/0 15kV/µs 75ns, 75ns
TLP385(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GR, E 0.5500
RFQ
ECAD 2588 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (Gre EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP3073(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (F 1.9900
RFQ
ECAD 1031 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables TLP3073 CQC, CUR, UR 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 1 ma (typ) No 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TPL, F) -
RFQ
ECAD 1372 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP120 (GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (BV-LF1, F) -
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (ilimitado) 264-TLP331 (BV-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (TP, E 2.8100
RFQ
ECAD 6975 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1.4V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP715 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP715 (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP2761(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (LF4, E -
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761 (LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP2310(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2310 (TPL, E 1.5500
RFQ
ECAD 8032 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2310 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 5Mbps 11ns, 13ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (YG, F) -
RFQ
ECAD 6694 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531 (YGF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB, F) -
RFQ
ECAD 3007 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (Y-TPL, E 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock