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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | Calificante | Calificante |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP628M (GB-LF1, E | 0.9200 |  | 5464 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP2370 (TPL, E | 1.7700 | | 2071 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2370 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1.5V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
| TLP628M (LF5, E | 0.9100 | | 9981 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP628M (LF5E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP5705H (D4LF4, E | 2.0100 | | 3764 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||
| TLP628M (LF1, E | 0.9100 | | 2527 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | TLP5702H (TP, E | 1.7100 | | 7878 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 37ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||
| TLP3910 (D4C20TPE | 3.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP3910 | Corriente Continua | 2 | Fotovoltaico | 6-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | - | 24 V | 3.3V | 30 Ma | 5000 VRMS | - | - | 300 µs, 100 µs | - | ||||||||||||||||
| TLP127 (MAT-M-TPL, F | - | | 8990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
| TLP127 (Tokud-TPL, F | - | | 2831 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (Tokud-TPLFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
| TLP127 (Cano-U, F) | - | | 6413 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (cano-uf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
| TLP127 (NS-TPL, F) | - | | 2554 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (NS-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||
 | TLX9309 (TPL, F | 3.6000 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLX9309 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | - | - | 1.6V | 15 Ma | 3750vrms | 15% @ 7MA | 300% @ 7MA | - | - | |||||||||||||||||
 | TLX9905 (TPL, F | 4.0500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9905 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | - | 7V | 1.65V | 30 Ma | 3750vrms | - | - | 300 µs, 1 m | - | Automotor | AEC-Q101 | |||||||||||||||
| TLX9906 (TPL, F | 4.0500 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9906 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | - | 7V | 1.65V | 30 Ma | 3750vrms | - | - | 200 µs, 200 µs | - | Automotor | AEC-Q101 | |||||||||||||||
| TLP291 (GB, E) | - | | 3061 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
| TLP714F (D4HW1TP, F) | - | | 3728 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (D4HW1TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||
| TLP2531 (TP1, F) | - | | 8249 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2531 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP2531 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 30% @ 16MA | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB-LF4, F | - | | 4214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (D4-GB-LF4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2766F (f) | - | | 5909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2766 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2766F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||
| TLP785F (D4-BLL, F | - | | 7615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4-BLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP266J (E | 0.8800 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TLP | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | |||||||||||||||||
| TLP2370 (E | 1.7900 | | 5671 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2370 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP2370 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 Ma | 20Mbps | 3ns, 2ns | 1.5V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
| TLP2768 (TP, F) | - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP2768 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 2.7V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP2768 (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||
| TLP781 (D4GRT6-SD, F | - | | 6920 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4GRT6-SDFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP731 (GB, F) | - | | 2664 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Y, F) | - | | 4224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP2200 (LF1, F) | - | | 4746 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP2200 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2200 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP383 (D4-GB, E | - | | 3269 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (D4-GBETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| TLP785 (D4-LF6, F | - | | 5826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP785 (LF6, F | - | | 7433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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