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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP185 (YL-TPL, SE | - |  | 9890 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP185 (YL-TPLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | TLP385 (D4-GB, E | 0.5400 | | 9333 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (D4-GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | TLP2160 (f) | - | | 3836 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2160 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2160F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.55V | 25 Ma | 2500 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||
| TLP385 (D4-Y, E | 0.5400 | | 9961 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (d4-ye | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | TLP184 (TPL, E) | - | | 2019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | TLP184 (tple) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 9 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 9 µs, 9 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP291 (V4GRTP, SE | 0.6000 | | 7762 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLPN137 (D4-TP1, F) | 1.5600 | | 9597 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLPN137 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | 10mbd | 12ns, 3ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| TLP624-2 (BV-TP5, F) | - | | 2670 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP624-2 (BV-TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2601 (TP1, F) | - | | 8708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2601 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 Ma | 10mbd | 30ns, 30ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | TLP2358 (TPL, E) | 1.0200 | | 5634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | - | 15ns, 12ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
 | TLP748J (TP1, F) | 1.8600 | | 12 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | TLP748 | BSI, SEMKO, UR | 1 | SCR | 6-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1.15V | 50 Ma | 4000 VRMS | 600 V | 150 Ma | 1mera | No | 5V/µs | 10 Ma | 15 µs | |||||||||||||||
 | TLP5701 (TP, E | 1.2700 | | 6927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5701 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||
| TLP291 (BLL, SE | 0.5900 | | 4295 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TLP291 (BLLSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP131 (GR, F) | - | | 3937 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP131 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-mfsop, 5 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP131 (GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP2358 (e) | 1.0200 | | 53 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 Ma | - | 15ns, 12ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
| TLP2962 (f) | 1.2700 | | 9992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP2962 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2962F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 15mbd | 3ns, 12ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
| TLP504A (GB, F) | - | | 7486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP504 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP2468 (TP, F) | - | | 5321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TLP2468 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.57V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
| TLP388 (D4, E | 0.7900 | | 8401 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP388 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP2958 (TP1, F) | - | | 7098 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2958 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 8-SMD | descascar | 264-TLP2958 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | TLP290 (Y-TP, SE | 0.4200 | | 8907 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP620-2 (D4-GB, F) | - | | 2946 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP620-2 (D4-GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP161G (TPR, U, C, F) | - | | 1572 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | Tlp161g | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
| TLP9114B (OGI-TL, F) | - | | 2693 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9114B (OGI-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP117 (f) | - | | 2120 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP117 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 5A991 | 8541.49.8000 | 150 | 10 Ma | 50mbd | 3ns, 3ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 20ns, 20ns | |||||||||||||||
| TLP2200F | - | | 2215 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP2200 | Corriente Continua | 1 | Tri-estatal | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2200 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 Ma | 2.5mbd | 35ns, 20ns | 1.55V | 10 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 400ns, 400ns | ||||||||||||||
| TLP291 (V4GBTP, SE | 0.6000 | | 5106 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP731 (D4-Gr-TP1, F | - | | 3010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-Gr-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293 (GB, E | 0.5100 | | 3124 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP293 (GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP750 (D4-TP4, F) | - | | 9240 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP750 (D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 |
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