SIC
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Optoisoladores (1738)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP751(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-O-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP751 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP751 (D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1.500 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 10% @ 16MA - 200ns, 1 µs -
TLP385(D4-GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-GRL, E 0.5400
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (D4-GRLE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP184(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPL, SE 0.5100
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP293(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (GRL-TPL, E 0.5000
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 200% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP185(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPL, E) -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TLP185 (GB-Tple) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP5832(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (D4-TP, E 2.8300
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP2630(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630 (f) -
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2630 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 16 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 2/0 200V/µs, 500V/µs (TYP) 75ns, 75ns
TLP3043(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3043 (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables TLP3043 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6 DIP (Corte), 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 400 V 100 mA 600 µA (topos) Si 200V/µs 5 mm -
TLP731(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimitado) 264-TLP731 (LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP260JTPRPF Toshiba Semiconductor and Storage TLP260JTPRPF -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP260 Tu 1 Triac 4-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.15V 50 Ma 3000 VRMS 600 V 70 Ma 1 ma (typ) No 500V/µs (topos) 10 Ma 30 µs
TLP2409(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2409 Corriente Continua 1 Transistor 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 16 Ma - 20V 1.57V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP759F(ISIMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (ISIMT4, J, F -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759F (ISIMT4JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP759(D4IM-T5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-T5, J, F -
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4IM-T5JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP624 - 1 (ilimitado) 264-TLP624-2 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP332(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332 (f) -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP332 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP2531(TOSYK1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk1, F) -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP2531 (Tosyk1f) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA - - -
TLP121(Y-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Y-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (Y-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP627-4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4F -
RFQ
 ECAD 5834 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP627 Corriente Continua 4 Darlington 16 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP184(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPL, E) -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP184(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (TPL, SE 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP751(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP751 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP751 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 10% @ 16MA - 200ns, 1 µs -
TLP785(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRL, F 0.6600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP785 (GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP290-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (GB-TP, E) 1.6300
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP104(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (TPR, E) 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP250H(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (LF1, F) 1.7800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP250 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP250H (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 2.5 A - 50ns, 50ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP268J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (TPR, E 1.0200
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP268 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) Si 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
TLP293-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4-LA, E 1.6300
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8-SMD descascar 264-TLP2955 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP109(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (TPR, E) 1.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP750(D4-YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (d4-yask, f) -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (d4-yaskf) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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