SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP781F(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (YH, F) -
RFQ
ECAD 4899 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRH, E) -
RFQ
ECAD 4579 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-GRHE) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4-GR-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Gr-SD, F) -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-Gr-SDF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Y, F) -
RFQ
ECAD 4779 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-YF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GB, F) -
RFQ
ECAD 1853 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-TP7, F) -
RFQ
ECAD 1848 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-TP7F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLX9304(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9304 (TPL, F 3.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLX9304 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 20V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 15 Ma - - 1.56V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 400ns, 550ns
TLP127(YASK-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Yask-TPL, F) -
RFQ
ECAD 9683 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (YASK-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(MAT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-TPL, F) -
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (MAT-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(MBSSM-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MBSSM-TPL, F -
RFQ
ECAD 4766 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (MBSSM-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tee-TPLS, F) -
RFQ
ECAD 6416 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (Tee-Tplsf) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(DEL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Del-TPL, F) -
RFQ
ECAD 3952 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (Del-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(HIT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Hit-TPL, F) -
RFQ
ECAD 4179 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (HIT-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(ITO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ITO-TPR, F) -
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (ITO-TPRF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(PSE-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (PSE-TPL, U, F -
RFQ
ECAD 1770 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (PSE-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(MBSSM2-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MBSSM2-TL, F -
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (MBSSM2-TLF EAR99 8541.49.8000 1 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP127(TOJS-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (TOJS-TPR, F) -
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (TOJS-TPRF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP2372(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (TPL, E 1.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2372 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo - 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 20Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP3083(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083 (F -
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Caja Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm), 5 cables TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 264-TLP3083 (F EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 600 µA Si 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP3052A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052A (F -
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Caja Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm), 5 cables TLP3052 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 264-TLP3052A (F EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 600 µA No 2kV/µs (topos) 10 Ma -
TLP5705H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4-TP, E 1.9100
RFQ
ECAD 840 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/1 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP5702H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (D4-TP, E 1.7100
RFQ
ECAD 3514 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/1 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP754(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (D4-LF1, F) -
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP754 (D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP9114B(NIEC-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (Niec-TL, F -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9114B (NIEC-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F1, J, F -
RFQ
ECAD 8173 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4IM-F1JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLX9291(TOJ2TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (TOJ2TL, F (O -
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLX9291 (TOJ2TLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP719F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 6909 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP759F(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4, J, F) -
RFQ
ECAD 3790 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759F (D4JF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP719F(AD-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (AD-TP, F) -
RFQ
ECAD 4645 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719F (AD-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP3083F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (D4, F 1.7400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm), 5 cables CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 2kV/µs (topos) 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock