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Optoisoladores (1738)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP750(PPA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (PPA, F) -
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP750 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - 264-TLP750 (PPAF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 10% @ 16MA - - -
TLP9104A(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (TOJS-TL, F -
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104A (TOJS-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP9121A(ASTGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (ASTGBTL, F -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (ASTGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4FA1T1SJ, F -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4FA1T1SJF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP759F(D4IMF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4IMF4, J, F -
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759F (D4IMF4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (d4kebimt1jf -
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (d4kebimt1jf EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TOJSTLUC, F -
RFQ
 ECAD 6124 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota Corriente Continua Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar 264-TLP191B (TOJSTLUCF EAR99 8541.49.8000 1 24 µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 3 ms -
TLP2766F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2766F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 20mbd 15ns, 15ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
TLP525G(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (TP5, F) -
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CSA, CUL, UL 1 Triac 4 Dipp descascar 264-TLP525G (TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 100 mA 600 µA No 200V/µs 10 Ma -
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 264-TLP626 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP669L(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 264-TLP669L (SCF) EAR99 8541.49.8000 1 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP2372(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (E 1.9100
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2372 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2372 (E EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 20Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP2363(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (E 1.0200
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2363 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2363 (E EAR99 8541.49.8000 125 25 Ma 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP1, E 0.9100
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP2370(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (V4, E 1.7700
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2370 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (TP4, F 1.7900
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gull, 5 cables TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP3910(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (TP, E 3.3300
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP3910 Corriente Continua 2 Fotovoltaico 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - - 24 V 3.3V 30 Ma 5000 VRMS - - 300 µs, 100 µs -
TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-TP, E 1.6000
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2710 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 5mbd 11ns, 13ns 1.9V (Max) 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP, E 2.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5772 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 56ns, 25ns 1.55V 8 MA 5000 VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP628M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP5, E 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF (E 0.9100
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP628MF (E EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4LF4, E 2.6700
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5772 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1.55V 8 MA 5000 VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP5, E 0.9200
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP2710(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (LF4, E 1.6200
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2710 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 5mbd 11ns, 13ns 1.9V (Max) 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP2363(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (V4-TPL, E 1.0200
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2363 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP3083F(D4,LF4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (D4, LF4F 1.7800
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gull, 5 cables TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (C20, E 3.3700
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP3910 Corriente Continua 2 Fotovoltaico 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - - 24 V 3.3V 30 Ma 5000 VRMS - - 300 µs, 100 µs -
TLP387(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (D4, E 0.8700
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP387 Corriente Continua 1 Darlington 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP388(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (E 0.8000
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP388 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP388 (E EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP185(BLL-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BLL-TPR, E) -
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs TLP185 (BLL-TPRE) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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