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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP185 (TPR, E) | - | ![]() | 6582 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | TLP185 (TPRE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 9 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 9 µs, 9 µs | 300mv | |||||||
![]() | TLP187 (E | 1.0200 | ![]() | 7801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP187 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||
![]() | TLP182 (GB-TPL, E | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||
![]() | TLP291 (YH-TP, SE | 0.4300 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||
![]() | TLP627-4 (LF1, F) | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP627-4 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP624-4 (bv, f) | - | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP624-4 (BVF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781F (y, f) | - | ![]() | 5429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
![]() | TLP781F (D4GRF7TC, F | - | ![]() | 1337 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GRF7TCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
![]() | TLP754F (TP4, F) | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP754 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP754F (TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||
![]() | TLP550 (TCCJ, F) | - | ![]() | 3899 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (TCCJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP358 (D4-LF1, F) | - | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358 (D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||
![]() | TLP627-2 (LF1, F) | - | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP627-2 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP161G (IFT7, U, C, F | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161G (IFT7UCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2372 (TPR, E | 1.9300 | ![]() | 4970 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2372 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.2V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | 20Mbps | 2.2ns, 1.6ns | 1.53V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||
![]() | TLP781 (D4-Gr-FD, F) | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-Gr-FDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
![]() | TLP785F (D4BLF7, F | - | ![]() | 8699 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4BLF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
![]() | TLP532 (BLL, F) | - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (BLLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP628MF (GB, E | 0.9200 | ![]() | 8466 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP628 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 5.5 µs, 10 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 10 µs, 10 µs | 400mv | ||||||||
TLP630 (GB-TP1, F) | - | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | - | 264-TLP630 (GB-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||
![]() | TLP627MF (LF2, E | - | ![]() | 9308 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP627MF (LF2E | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | |||||||
![]() | TLP161J (V4DMTR, C, F | - | ![]() | 7599 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (V4DMTRCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP293 (BL, E | 0.5100 | ![]() | 2113 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP293 (BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||
![]() | TLP734F (D4-GRH, M, F | - | ![]() | 9216 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F (D4-GRHMF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP734F (D4-Gr, M, F) | - | ![]() | 3504 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F (D4-GRMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP160G (T7-TPL, U, F | - | ![]() | 4558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160G (T7-TPLUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP532 (GR-TP5, F) | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (GR-TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP160G (OMT7-TPR, F | - | ![]() | 7938 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160G (OMT7-TPRFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP127 (U, F) | - | ![]() | 7414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (UF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||
![]() | TLP785 (Tels, F | - | ![]() | 7019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (Telsf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
![]() | TLP627M (D4-TP5, E | 0.3090 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V |
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