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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP127 (f) | - |  | 4433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP127 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-4 (GB-LF5, F) | - | | 6109 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP620-4 (GB-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||
 | TLP785 (y, f) | 0.6400 | | 90 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | TLP785 (D4GH-T6, F | 0.7600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
| TLP185 (Y, SE | - | | 5524 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP185 (YSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||
| TLP161J (T7TL, U, C, F | - | | 8555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (T7TLUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620F-2 (f) | - | | 9705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | 1 | - | 8 Dipp | - | 264-TLP620F-2 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 55V | - | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | - | |||||||||||||
| TLP781 (YH, F) | - | | 6831 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (YHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | TLP191B (U, C, F) | - | | 5785 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 80 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP191 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 24 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 3 ms | - | |||||||||||
| TLP161J (DMT7TR, C, F | - | | 5836 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (DMT7TRCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP183 (GB-TPL, E | 0.5000 | | 1538 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP183 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||
 | TLP383 (GB, E | - | | 4061 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||
| TLP531 (Y-LF5, F) | - | | 4947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (Y-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620 (f) | - | | 7538 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
| TLP781F (D4-GRL, E) | - | | 1801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-GRLE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
| TLP627M (LF1, E | 0.9200 | | 3910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP627M (LF1E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | |||||||||||
| TLP387 (D4-TPL, E | 0.8700 | | 7441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP387 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1V | |||||||||||
| TLP731 (D4-LF4, F) | - | | 9979 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP105 (TPL, F) | - | | 3574 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP105 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP105 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||
| TLP9104 (Hitj-TL, F) | - | | 4935 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104 (HITJ-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4GRT7, F, W | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GRT7FWTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
| TLP2200 (LF2, F) | - | | 1247 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP2200 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2200 (LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP292 (Y-TPL, E | 0.5200 | | 9731 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||
| TLP121 (GRH-TP, F) | - | | 5792 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP121 (GRH-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||
| TLP785F (GRH-F7, F | - | | 1720 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GRH-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
| TLP2066 (TPR, F) | - | | 4049 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP2066 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V | 6-mfsop, 5 Plomo | - | 264-TLP2066 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||
| TLP127 (FJDK-TL, U, F | - | | 8745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (FJDK-TLUF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||
| TLP785 (D4GH-F6, F | - | | 8482 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4GH-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | TLP3064 (TP1, SC, F, T) | - | | 3454 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota | TLP3064 | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 6 MA | 5000 VRMS | 600 V | 600 µA | Si | 3mera | ||||||||||||||||||
| TLP532 (Nemi, F) | - | | 7466 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (nemif) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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