SIC
close

Optoisoladores (1738)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo Calificante Calificante
TLP781(YH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (YH-TP6, F) -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (YH-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (E 0.6100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP2301 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera - 40V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 1MA 600% @ 1MA - 300mv
TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (E 0.9200
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP628M (E EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP631 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (TOYOG2TLF -
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104A (TOYOG2TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (T2-TPL, E 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP268 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) Si 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (f) -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP551 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 10% @ 16MA - 300ns, 1 µs -
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP750(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (pp, f) -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP750 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - 264-TLP750 (PPF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 10% @ 16MA - - -
TLP130GBF Toshiba Semiconductor and Storage TLP130GBF 0.7145
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP130 AC, DC 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 150 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (E 2.2400
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2770 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2770 (E (O EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 20mbd 1.3ns, 1ns 1.5V 8 MA 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP126(ASAD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (ASAD-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (ilimitado) 264-TLP126 (ASAD-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLX9310(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9310 (TPL, F 3.7500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLX9310 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 5Mbps 11ns, 13ns 1.55V 8 MA 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns Automotor AEC-Q101
TLP734(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-C174, F) -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP734 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP734 (D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 4000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP127(PSION-TPR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (PSION-TPR, F -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (PSION-TPRFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP2704(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704 (D4, E 1.4400
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2704 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2704 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 15 Ma - - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP2098(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP2098 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs TLP2098 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA-TR, E 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (BL-TPL, E 0.5600
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (Y-TPL, E 0.5700
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BL, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP628MX2 Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MX2 -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp - 1 (ilimitado) 264-TLP628MX2 EAR99 8541.49.8000 50 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP559(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP559 (f) -
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP559 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 20% @ 16MA - 200ns, 300ns -
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (V4-TPL, E 1.0600
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2361 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP2108(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2108 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2108 Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 2/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP754F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP754 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 8 Dipp descascar 264-TLP754F (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 550ns, 400ns
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP570 - 1 (ilimitado) 264-TLP570 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP183(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BL-TPL, E 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP183 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (D4-TP, E 2.2400
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2770 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 20mbd 1.3ns, 1ns 1.5V 8 MA 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP2719(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (TP, E 1.7500
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2719 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 20V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 8 MA 1mbd - 1.6V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 800ns, 800ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar