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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | Calificante | Calificante |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP632 (f) | - |  | 9713 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP632 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP632F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP160G (TEE-TPL, F) | - | | 8847 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP160 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160G (Tee-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLX9185A (GBTPL, F | 3.1500 | | 23 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLX9185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | Automotor | AEC-Q101 | ||||||||||||||||
 | TLP385 (D4Y-TPR, E | 0.5600 | | 4533 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | TLP3914 (TP15, F) | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | TLP3914 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 4-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 20 µA | - | 7V | 1.3V | 30 Ma | 1500 VRMS | - | - | 300 µs, 600 µs | - | |||||||||||||||||
 | TLP184 (GR-TPL, SE | 0.5100 | | 6509 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | TLP716 (TP, F) | - | | 5496 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP716 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 5A991G | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 Ma | 15mbd | 15ns, 15ns | 1.65V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
 | TLP754 (f) | - | | 8364 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP754 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP754F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||
 | TLP3063SCF | - | | 9668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3063 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||
| TLP120 (f) | - | | 4000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | TLP2601 (LF1, F) | - | | 3893 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2601 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP2601 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 10mbd | 30ns, 30ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| TLP121 (BL, F) | - | | 8069 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP121 (BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP716 (D4-TP, F) | - | | 7993 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP716 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP716 (D4-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 15mbd | 15ns, 15ns | 1.65V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
| TLP781 (D4GRT6-TC, F | - | | 4172 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4GRT6-TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP127 (KOSD-TPL, F) | - | | 2733 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (KOSD-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||
| TLP785F (GRL, F | - | | 9716 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP759 (D4MB-F2, J, F | - | | 2825 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4MB-F2JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | TLP291-4 (GB, E) | 1.4600 | | 2026 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP781F (BLL, F) | - | | 8371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (BLLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP388 (GB-TPL, E | 0.8000 | | 4334 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP388 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP293-4 (V4-GB, E | 1.6300 | | 4183 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | TLP590B (C, F) | 3.1500 | | 23 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP590 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-dip, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Q3885930 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 12 µA | - | 7V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||
| TLP292-4 (LA-TR, E | 1.8100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | TLP2098 (TPL, F) | - | | 3000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP2098 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | TLP2098 (TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||
 | TLP292 (BL-TPL, E | 0.5600 | | 307 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | TLP785 (BL, F) | 0.6400 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP385 (TPR, E | 0.5500 | | 2461 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
 | TLP626 (TP1, F) | - | | 1950 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP5832 (E | 2.8300 | | 4832 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP5832 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | - | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||
| TLP385 (D4YH-TL, E | 0.5600 | | 6568 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv |
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